一維核殼結(jié)構稀土氧化物和稀土氟化物納米發(fā)光材料的制備與表征.pdf

1、近年來，稀土發(fā)光材料由于其在照明、顯示和通信等方面廣泛的應用，越來越得到研究人員的重視。而一維結(jié)構的稀土納米發(fā)光材料由于其維數(shù)低，以及高的表面積和體積比而表現(xiàn)出不同于其他材料的特殊的光、電、磁等性質(zhì)。但是納米級的材料往往受到表面效應等因素的影響而使其表面有很多的表面缺陷，影響其發(fā)光性能，因此可以將一維納米發(fā)光材料表面包覆一層無摻雜的材料，以降低其表面缺陷，最終達到提高發(fā)光效率的目的。本文采用水熱法、均相沉淀法、雙坩堝氟化法制備了一維核殼

2、結(jié)構的稀土氧化物和氟化物發(fā)光材料，得到了一些有意義的結(jié)果。
　　(1)利用水熱法制備出了一維核殼結(jié)構的Gd2O3：Eu3+@Y2O3，并研究了包覆不同摩爾比例的殼層Y2O3對其發(fā)光效率的影響。當核殼摩爾比例達到4:1時，其發(fā)光強度要比未包覆的Gd2O3：Eu3+強。
　　(2)利用均相沉淀法制備出了核殼結(jié)構的Gd2O3：Eu3+@Y2O3納米棒，納米棒直徑在15-25nm，長度在100nm左右，殼層厚度大約在4-5nm，熒光

3、光譜(PL)分析表明，通過調(diào)節(jié)殼層厚度可以達到使Gd2O3：Eu3+發(fā)光增強的目的。
　　(3)利用水熱法和沉淀法相結(jié)合，制備了多殼層結(jié)構的核-殼-殼的Y2O3：Eu3+@SiO2@Gd2O3，熒光光譜分析表明Y2O3：Eu3+、Y2O3：Eu3+@Gd2O3、Y2O3：Eu3+@SiO2和Y2O3：Eu3+@SiO2@Gd2O3四種樣品的發(fā)光強度依次降低。
　　(4)采用雙坩堝法制備一維棒狀的YF3：Eu3+，納米棒直徑在