微型射頻薄膜體聲波雙工器設(shè)計(jì).pdf

1、隨著4G/LTE技術(shù)的商用化,個(gè)人移動(dòng)手持設(shè)備中支持的頻段從幾個(gè)增加到十幾個(gè)。這些頻段間的干擾日益嚴(yán)重,因此對(duì)高性能濾波器有著十分的迫切需求。基于MEMS技術(shù)的薄膜體聲波濾波器具有高性能、體積小、低成本、與CMOS工藝兼容等優(yōu)勢(shì),正占據(jù)著移動(dòng)手持設(shè)備射頻前端模塊越來越多的市場(chǎng)份額。射頻體聲波濾波器極有可能取代在2G領(lǐng)域廣泛使用的聲表面波濾波器,成為未來移動(dòng)設(shè)備射頻前端濾波器的主流解決方案。
　　論文深入討論了薄膜體聲波諧振器的工作

2、機(jī)制,在此基礎(chǔ)之上詳細(xì)闡述了薄膜體聲波諧振器的建模方法,包括電學(xué)MBVD模型,物理Mason模型以及揭示諧振器工作機(jī)理的有限元模型。
　　論文分析了薄膜體聲波諧振器的各項(xiàng)品質(zhì)因子,以及它們對(duì)濾波器性能的影響。論文提出了一種提取壓電薄膜機(jī)電耦合系數(shù)K2t非常高效的方法。通過在晶圓上加工出只需要一次光刻工藝的HBAR諧振器結(jié)構(gòu),使用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量HBAR諧振器的輸入阻抗,就可以從中直接計(jì)算出K2t。論文給出了這種方法的基本原理,提出了

3、理想的損耗型體聲波諧振器(lossybulkacousticresonator,LBAR)模型,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了這種模型和方法的有效性。該研究為評(píng)估壓電薄膜生長質(zhì)量提供了一種全新的方法。
　　論文以WCDMABandI雙工器的設(shè)計(jì)為例展示了薄膜體聲波雙工器的設(shè)計(jì)流程、重要參數(shù)指標(biāo)和設(shè)計(jì)過程中的各種折中與權(quán)衡。論文最后展示了作者設(shè)計(jì)出的WCDMABandI雙工器的實(shí)測(cè)結(jié)果。雙工器采用LGA封裝,封裝后的尺寸為2.5mm×2.0mm×