版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、以GaN為代表的寬禁帶III族氮化物在高能、高頻、功率以及光電器件中有重要的應(yīng)用的價(jià)值。由于晶體結(jié)構(gòu)中心不對(duì)稱,材料中存在著強(qiáng)的自極化效應(yīng)?;诖耍疚闹饕芯繉捊麕?III族氮化物的極化特性,以及極化效應(yīng)在寬禁帶 III族氮化物基器件中的應(yīng)用。
首先,本文介紹了第一性原理計(jì)算方法和理論模型,利用 CASTEP軟件包基于第一性原理計(jì)算,研究了GaN和AlGaN的能帶結(jié)構(gòu)以及電子態(tài)密度。分析了價(jià)電子處在的能級(jí)位置。利用DOML軟
2、件包基于第一性原理計(jì)算,研究了GaN/AlN超晶格中極化效應(yīng)對(duì)電子態(tài)密度以及電荷分布的影響。在極化效應(yīng)的作用下, Ga原子處于價(jià)帶底的3d態(tài)電子躍遷到上價(jià)帶頂和導(dǎo)帶中。在異質(zhì)結(jié)的結(jié)面處,出現(xiàn)了正電荷和負(fù)電荷堆積現(xiàn)象。
通過自洽求解薛定諤方程和泊松方程,研究了極化效應(yīng)對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中二維電子氣的作用。無需雜質(zhì)摻雜,利用極化誘導(dǎo)摻雜獲得了濃度為1019cm-3量級(jí)的二維電子氣??偨Y(jié)了不同Al組分和不同AlGaN薄膜厚度
3、,極化誘導(dǎo)二維電子氣濃度和分布變化的規(guī)律。深入的研究了極化誘導(dǎo)摻雜提高寬禁帶III族氮化物摻雜效率的問題。無需雜質(zhì)摻雜,沿[0001]晶向方向,線性的增加AlGaN薄膜Al的組分,獲得了電子濃度達(dá)到1019cm-3量級(jí)的n型AlGaN薄膜。無需雜質(zhì)摻雜,在Si襯底上制備出具有二極管電學(xué)特性的極化誘導(dǎo)摻雜的高Al組分AlGaN基PN結(jié)。
最后運(yùn)用 Silvaco軟件中的ATLAS半導(dǎo)體器件仿真器,分析了極化效應(yīng)對(duì)AlGaN基紫外
4、LED發(fā)光效率的影響。由極化效應(yīng)產(chǎn)生的極化電場,導(dǎo)致能帶彎曲,電子空穴波函數(shù)空間分離,溢出電流增加。對(duì)N-face AlGaN基紫外LED的光學(xué)特性和輻射光譜進(jìn)行了研究,并與Ga-face AlGaN基紫外LED對(duì)比。在N-face AlGaN紫外LED中引入了階梯結(jié)構(gòu)的電子注入層。通過分析光譜、電流-輸出光功率特性曲線、能帶結(jié)構(gòu)圖以及載流子輻射復(fù)合速率,結(jié)果表明相對(duì)于Ga-face的紫外LED, N-face的紫外LED具有更好的光學(xué)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體中極化場的調(diào)控.pdf
- Ⅲ族氮化物量子點(diǎn)體系激子特性的研究.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長及其特性.pdf
- Ⅲ族氮化物GaN和AlN光電特性的理論研究.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光特性.pdf
- Ⅲ族氮化物量子點(diǎn)的MOCVD外延生長研究.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物納米孔材料的制備和應(yīng)用.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體薄膜場發(fā)射性能研究.pdf
- Ⅲ族氮化物材料弱極性晶面量子阱的生長及其光電特性的研究.pdf
- Ⅲ族氮化物量子阱光電子學(xué)特性和應(yīng)用的研究.pdf
- 纖鋅礦氮化物量子阱中極化子能量.pdf
- 基于蒙特卡洛方法的Ⅲ-V族氮化物半導(dǎo)體輸運(yùn)特性研究.pdf
- Ⅲ族氮化物微納米材料的制備和表征.pdf
- 金屬氮化物與鍺接觸特性研究.pdf
- ⅲ族氮化物材料弱極性晶面量子阱的生長及其光電特性的研究
- 三族氮化物極化工程在光電器件和隧穿器件的應(yīng)用.pdf
- 氮化物光伏電池的制備和特性研究
- 碳氮化物薄膜的環(huán)境摩擦學(xué)特性研究.pdf
- Ⅲ族氮化物紫光和近紫外LED的制備與研究.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)中激子的光吸收研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論