射頻半導(dǎo)體器件的電熱特性分析.pdf

1、現(xiàn)今集成電路的功能越來越強(qiáng)大，這必將使電路熱問題越來越嚴(yán)重。我們知道半導(dǎo)體器件帶來的熱是集成電路產(chǎn)生熱的重要來源。如果我們能夠分析清楚半導(dǎo)體器件的電熱效應(yīng)，我們就能夠?qū)呻娐愤M(jìn)行整體建模，仿真出它的電熱特性。從而找出熱問題對于電路電性能的影響規(guī)律，我們就能夠在仿真階段完成對電路性能的的預(yù)估。這種預(yù)估是非理想情況下的預(yù)估，考慮了溫度場對電路性能的影響，使得我們對于電路系統(tǒng)的仿真更具有實(shí)際意義。文章主要章節(jié)就是在分析半導(dǎo)體器件的電熱問題。

2、
　　 我們采用的主要分析方法是時域譜元法(SETD)，SETD也是一種時域有限元方法，主要的不同之處在于選取的基函數(shù)。本論文主要利用時域譜元法，對半導(dǎo)體器件的電熱模型進(jìn)行了研究。
　　 本文首先詳細(xì)介紹了譜元法的基本理論，推導(dǎo)了電磁場的矢量波動方程和熱傳導(dǎo)方程的時域譜元法的差分形式。接著主要分析了高功率作用下PIN二極管的熱二次效應(yīng)，討論了不同脈沖寬度，功率，占空比對二極管的損傷程度的關(guān)系。然后仿真了射頻CMOS管三維