PLZT鐵電薄膜反常光生伏特效應(yīng)的研究.pdf

1、本文采用Sol-Gel工藝制備了不同組分比、不同底電極以及不同厚度的PLZT薄膜，并對其進(jìn)行了鐵電性能測試和光照實驗，研究了PLZT反常光生伏特效應(yīng)的影響因素，進(jìn)一步解釋了鐵電體反常光生伏特效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理，結(jié)果如下:
　　(1)利用Sol-Gel制備的8/65/35、4/52/48和3/52/48三種組分比的PLZT薄膜的剩余極化值分別為17.5μC/cm2、15.7μC/cm2和14.8μC/cm2，矯頑場強(qiáng)分別約為80kV/c

2、m、68kV/cm和49kV/cm;25V電壓下，三種薄膜樣品的漏電流密度分別為45mA/cm2、55mA/cm2和65mA/cm2左右;經(jīng)過109極化翻轉(zhuǎn)后三種樣品的剩余極化值均沒有明顯下降，展現(xiàn)出良好的抗疲勞性能。
　　(2)當(dāng)光照強(qiáng)度為1.12mW/cm2時三種組分比的PLZT鐵電薄膜開始產(chǎn)生光生電壓值的起始時間相差不大，約為8s左右;8/65/35、4/52/48和3/52/48三種組分比PLZT薄膜的光生伏特性能隨其剩余

3、極化值Pr的減小而增大;當(dāng)光強(qiáng)為2.82mW/cm2時，4/52/48組分比的薄膜樣品所產(chǎn)生的光生電壓值最大為70.23mV，且所產(chǎn)生的光生電壓值達(dá)到穩(wěn)定值所需的最大光照強(qiáng)度較低;在所選底電極中，最優(yōu)底電極為LaNiO3底電極;最優(yōu)薄膜厚度為420nm～490nm;經(jīng)計算和實驗數(shù)據(jù)證實，經(jīng)550℃熱處理的PLZT薄膜產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)的有效光照波長為342nm以下。
　　(3)PLZT反常光生伏特效應(yīng)的主要影響因素為薄膜組分比、薄膜