2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本文采用Sol-Gel工藝制備了不同組分比、不同底電極以及不同厚度的PLZT薄膜,并對其進(jìn)行了鐵電性能測試和光照實驗,研究了PLZT反常光生伏特效應(yīng)的影響因素,進(jìn)一步解釋了鐵電體反常光生伏特效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理,結(jié)果如下:
  (1)利用Sol-Gel制備的8/65/35、4/52/48和3/52/48三種組分比的PLZT薄膜的剩余極化值分別為17.5μC/cm2、15.7μC/cm2和14.8μC/cm2,矯頑場強(qiáng)分別約為80kV/c

2、m、68kV/cm和49kV/cm;25V電壓下,三種薄膜樣品的漏電流密度分別為45mA/cm2、55mA/cm2和65mA/cm2左右;經(jīng)過109極化翻轉(zhuǎn)后三種樣品的剩余極化值均沒有明顯下降,展現(xiàn)出良好的抗疲勞性能。
  (2)當(dāng)光照強(qiáng)度為1.12mW/cm2時三種組分比的PLZT鐵電薄膜開始產(chǎn)生光生電壓值的起始時間相差不大,約為8s左右;8/65/35、4/52/48和3/52/48三種組分比PLZT薄膜的光生伏特性能隨其剩余

3、極化值Pr的減小而增大;當(dāng)光強(qiáng)為2.82mW/cm2時,4/52/48組分比的薄膜樣品所產(chǎn)生的光生電壓值最大為70.23mV,且所產(chǎn)生的光生電壓值達(dá)到穩(wěn)定值所需的最大光照強(qiáng)度較低;在所選底電極中,最優(yōu)底電極為LaNiO3底電極;最優(yōu)薄膜厚度為420nm~490nm;經(jīng)計算和實驗數(shù)據(jù)證實,經(jīng)550℃熱處理的PLZT薄膜產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)的有效光照波長為342nm以下。
  (3)PLZT反常光生伏特效應(yīng)的主要影響因素為薄膜組分比、薄膜

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