TiO2與SiO2納米通道的制備及其在手性分離中的應(yīng)用.pdf

1、納米通道技術(shù)自上個(gè)世紀(jì)九十年代以來(lái)，已取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。納米通道為尺寸在0.10 nm至100 nm之間的孔或管道結(jié)構(gòu)。納米通道因其結(jié)構(gòu)上的尺寸效應(yīng)，比表面積效應(yīng)和通道表面特殊的物理、化學(xué)性質(zhì)使得它在生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、物質(zhì)的分離傳感等領(lǐng)域擁有巨大的應(yīng)用前景。
　　 本文以二氧化鈦和二氧化硅納米通道的制備和表征為基點(diǎn)，考察手性物質(zhì)在功能化的納米通道內(nèi)的遷移特性，研究手性物質(zhì)在二氧化鈦和二氧化硅納米通道中的遷移特性。相對(duì)于傳統(tǒng)的高

2、效液相色譜法和毛細(xì)管電泳法，應(yīng)用納米通道技術(shù)對(duì)手性物質(zhì)的分離檢測(cè)鮮有報(bào)道。本文主要開展了以下幾個(gè)方面的工作:
　　 以氧化鋁模板為基底，通過(guò)溶膠-凝膠模板合成法在氧化鋁模板的孔道內(nèi)沉積二氧化鈦和二氧化硅，并用現(xiàn)代表征技術(shù)對(duì)制備的納米通道陣列進(jìn)行形貌的觀察與研究;探討沉積時(shí)間與納米通道孔徑大小的關(guān)系并用電化學(xué)方法進(jìn)行研究;對(duì)納米通道的元素構(gòu)成和表面電荷情況進(jìn)行分析。
　　 以制備的納米通道為基底，在通道的孔內(nèi)修飾手性選擇劑