碳化硅MOSFET應用技術研究.pdf

1、碳化硅(SiC)器件作為一種新型功率器件，近年來以其適用于高溫高頻開關工作等突出優(yōu)勢受到廣泛的研究和應用。對其特性進行分析和評估、研究其驅動等應用關鍵技術，具有重要意義。
　　本文著重研究SiC MOSFET，分析了器件特性及參數(shù)，建立了PSpice仿真模型，引入溫控電壓源和溫控電流源補償溫度特性，使該模型在較寬的溫度范圍內有效，并考慮了SiC MOSFET負壓關斷的影響；研究了SiC MOSFET對驅動電路的要求，設計實現(xiàn)了Si

2、C MOSFET單管及構成橋臂兩種應用場合的驅動電路，并進行了高低溫實驗條件下的測試，驗證了模型及建模方法的合理性和有效性。
　　將SiC MOSFET應用于雙有源橋變換器，結合采用一種改進的移相控制策略，分析了變換器工作模態(tài)并建立了損耗分析模型；比較了SiC MOSFET與Si MOSFET在寄生參數(shù)、溫度特性、體二極管特性等方面的差異對變換器軟開關范圍、高溫特性及效率的影響。搭建了實驗樣機，驗證了SiC MOSFET在提高變換