版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、隨著全球能源形勢(shì)趨緊,太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為一種可持續(xù)的能源替代方式,于近年得到迅速發(fā)展。光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開單晶硅材料,而高密高強(qiáng)炭石墨材料由于具有強(qiáng)度高、電阻率低、抗熱震性好、耐高溫、抗氧化、加熱效率高、易于精密機(jī)加工等優(yōu)點(diǎn),成為單晶硅爐加熱器中首選的加熱材料。
目前,國(guó)內(nèi)外高密高強(qiáng)炭石墨材料的研究主要著重于原材料的選擇和生產(chǎn)工藝的強(qiáng)化兩方面。本論文采用超細(xì)粉二次焦和煤瀝青為主要原料,再輔以適當(dāng)?shù)闹苽涔に嚕陂_發(fā)單晶硅爐用高密
2、高強(qiáng)炭石墨材料方面進(jìn)行了一些探索和嘗試。
論文以體積密度、電阻率、抗壓強(qiáng)度、抗折強(qiáng)度、顯氣孔率和肖氏硬度作為高密高強(qiáng)炭石墨材料性能的主要衡量指標(biāo),研究了石油焦性能、煤瀝青性能、粉末粒度、成型壓力、保壓時(shí)間、焙燒最高溫度、升溫速率、石墨化等因素對(duì)高密高強(qiáng)炭石墨材料結(jié)構(gòu)與性能的影響。研究結(jié)果表明選用低灰、低硫、低粉末電阻和具有較高真密度及振實(shí)密度值的超細(xì)二次焦為骨料,具有適宜軟化點(diǎn)、甲苯不溶物含量、β樹脂含量及結(jié)焦值的煤瀝青為粘結(jié)
3、劑,有利于提高高密高強(qiáng)炭石墨制品的綜合性能。適當(dāng)增大成型壓力和延長(zhǎng)保壓時(shí)間可使制品更致密均勻,從而有利于提高制品的綜合性能。焙燒升溫過(guò)程中,在250℃~700℃溫度范圍內(nèi)采用較低的升溫速度可提高煤瀝青的析焦量,防止制品裂紋的生成,有利于提高制品的綜合性能。浸漬可彌補(bǔ)試樣內(nèi)部的孔隙等缺陷,有利于改善制品的綜合性能。焙燒品經(jīng)石墨化處理后,體積密度增大0.05g/cm3,電阻率約降低70%。研究取得了具有開發(fā)前景的結(jié)果,采用本實(shí)驗(yàn)中所述超細(xì)粉
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 直拉單晶硅爐用炭素材料防護(hù)涂層的制備與性能研究.pdf
- 高性能單晶硅爐加熱電源的研究.pdf
- sj_t 11854-2022__光伏用直拉單晶硅爐-征求
- 單晶硅相關(guān)知識(shí)
- 單晶硅生產(chǎn)工藝
- 瀝青中間相炭微球制備高密高強(qiáng)石墨的工藝與性能研究.pdf
- 光伏畢業(yè)論文-單晶硅制備工藝
- 集成電路用直拉單晶硅力學(xué)性能.pdf
- 用霍爾效應(yīng)測(cè)試研究直拉單晶硅的電學(xué)性能.pdf
- 直拉式單晶硅生長(zhǎng)爐的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- 單晶硅材料超精密磨削機(jī)理研究.pdf
- 單晶硅表面原子級(jí)材料去除的初步研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)能電池絨面的制備.pdf
- 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
- 直拉單晶硅內(nèi)吸雜研究.pdf
- PECVD制備基于P型單晶硅襯底HIT電池的研究.pdf
- 外電場(chǎng)下金屬輔助制備單晶硅納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 太陽(yáng)電池單晶硅絨面制備及應(yīng)用
- 《電子專用材料單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范》
- MEMS單晶硅薄膜疲勞特性研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論