優(yōu)化有源層相分離程度提高聚合物太陽能電池性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、聚合物太陽能電池作為新型光電子器件,自問世起就引發(fā)世界范圍內(nèi)的廣泛關(guān)注。人們?cè)谛虏牧虾铣?、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件制備工藝優(yōu)化等方面不斷地探索,使聚合物太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率基本上以每年1個(gè)百分點(diǎn)的速度提高。最近香港科技大學(xué)的顏河教授課題組報(bào)道了光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到11.7%的聚合物太陽能電池,為此方向的發(fā)展注入了新的活力。本論文主要從器件物理的角度開展相關(guān)研究,意在提高聚合物太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,并澄清其相關(guān)機(jī)理。
  本論文的工作

2、主要采用溶劑添加劑1,8-二碘辛烷(DIO)、混合溶劑、不同有源層后處理手段、界面修飾層等方法,優(yōu)化有源層相分離程度,提高激子解離、載流子傳輸及收集的效率。利用工作溶劑與惰性溶劑的混合溶劑調(diào)控未使用溶劑添加劑有源層的相分離程度,在不使用溶劑添加劑的情況下提高了聚合物太陽能電池的性能。在有源層垂直結(jié)構(gòu)相分離的表征方面,采用吸收光譜、光致發(fā)光光譜、原子力顯微鏡、水接觸角、hole-only及electron-only器件正向/方向偏壓的電路

3、密度-電壓(J-V)特性等手段對(duì)有源層進(jìn)行表征,利用薄膜及器件光學(xué)、電學(xué)特性的變化反推有源層相分離程度的變化。具體的工作內(nèi)容可以歸納為以下5個(gè)方面:
  i)采用溶劑添加劑提高聚合物太陽能電池性能,并研究其工作機(jī)理。將5 vol%DIO添加劑摻入聚(吡咯并吡咯二酮一三聯(lián)噻吩)∶[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯(PDPP3T∶PC71BM,1∶2,wt/wt)混合溶液中用于制備有源層,聚合物太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率從3.77%提高

4、到4.37%。從J-V曲線及外量子效率(EQE)光譜分析,器件性能的提高主要?dú)w因于激子解離、載流子傳輸與收集的改善,這說明DIO添加劑有助于改善有源層中的相分離程度。為了驗(yàn)證DIO可調(diào)控PC71BM在聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的分散程度,將不同濃度的PC71BM摻入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中制備混合薄膜,研究混合薄膜的光學(xué)特性隨PC71BM摻雜濃度及DIO使用的變化規(guī)律。由于PMMA帶隙較大、對(duì)可見光范圍內(nèi)光譜的變化幾乎沒有影響,混合薄膜光

5、譜的變化應(yīng)主要由PC71BM分散程度變化引起。采用DIO處理PMMA∶PC71BM混合薄膜,混合薄膜在可見光區(qū)的光吸收能力下降,光致發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)且發(fā)光峰藍(lán)移。這一現(xiàn)象與降低PC71BM在PMMA∶PC71BM混合薄膜的含量一致,說明DIO的摻入可以誘導(dǎo)PC71BM在混合薄膜中更分散。這一現(xiàn)象說明:溶劑添加劑DIO可調(diào)控PC71BM在有源層薄膜中的分散程度,隨著有源層中殘余DIO慢慢地?fù)]發(fā),部分PC71BM可能會(huì)向著有源層上表面擴(kuò)散,形成

6、垂直結(jié)構(gòu)相分離,從而提高聚合物太陽能電池的性能。
  ii)利用界面偶極層及DIO添加劑協(xié)同提高聚合物太陽能電池的性能,及相關(guān)機(jī)理的研究。聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)已被廣泛用于陽極修飾層,PSS靠近有源層富集有利于空穴的萃取。但是直接對(duì)PEDOT∶PSS的分子排布進(jìn)行調(diào)控比較困難,提出在氧化銦錫(ITO)與PEDOT∶PSS之間引入LiF界面偶極層,利用LiF偶極層的強(qiáng)極性誘導(dǎo)PSS靠近有源層富

7、集。分別制備了以PEDOT∶PSS、PEDOT∶PSS/LiF、LiF/PEDOT∶PSS(未退火)以及LiF/PEDOT∶PSS(退火處理)為陽極修飾層的聚合物太陽能電池,器件的光電轉(zhuǎn)換效率分別為4.77%、5.03%、5.59%和6.18%。在PEDOT∶PSS薄膜上生長LiF偶極層有利于空穴的收集,但LiF偶極子的取向性比較隨機(jī),對(duì)器件性能的提高不是很明顯。將LiF超薄層插在ITO與PEDOT∶PSS之間,利用ITO表面O2-與P

8、EDOT∶PSS內(nèi)H+之間形成庫侖場(chǎng)優(yōu)化LiF偶極子的取向,誘導(dǎo)更多的PSS靠近有源層富集;退火處理為LiF偶極子的取向性提供了額外策動(dòng)力,使更多的PSS靠近有源層富集,從而增強(qiáng)了對(duì)空穴的萃取能力。制備了具有不同陽極修飾層的hole-only器件,在相同偏壓下采用LiF/PEDOT∶PSS為陽極修飾層的器件具有更大的電流密度,說明這種復(fù)合界面修飾層有利于空穴的萃取。本部分研究表明將退火處理的LiF/PEDOT∶PSS復(fù)合電極應(yīng)用于太陽能

9、電池器件中,將有利于空穴的收集。
  iii)利用熱溶液法優(yōu)化相分離程度,改善有源層內(nèi)部兩種載流子傳輸?shù)钠胶?,進(jìn)而提高聚合物太陽能電池的效率。在聚合物太陽能電池的有源層中,空穴的傳輸能力一般強(qiáng)于電子傳輸能力,導(dǎo)致有源層載流子傳輸?shù)牟黄胶?,因此?yōu)化兩種載流子傳輸?shù)钠胶馐翘岣咂骷阅艿挠行緩?。?yōu)化受體材料在有源層中的分布,形成有利于電子傳輸?shù)耐ǖ?,可提高有源層中的電子傳輸能力。本部分工作采用熱溶?70℃)制各PDPP3T∶PC71

10、BM(1∶2,wt/wt)有源層,縮短有源層薄膜的成膜時(shí)間,有利于有源層中給/受體分布更加均勻,形成雙連續(xù)的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。對(duì)比了利用常溫溶液、常溫溶液摻雜DIO及70℃溶液等方法制備有源層,器件的光電轉(zhuǎn)換效率分別從5.54%提高到5.85%和6.22%,器件性能的提高主要?dú)w因于更為平衡的載流子傳輸。為了進(jìn)一步驗(yàn)證此推測(cè),制備了hole-only及electron-only器件表征不同條件制備的有源層載流子傳輸能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:采用熱溶

11、液制備的有源層具有較高的電子傳輸能力,從而平衡了有源層中空穴與電子傳輸,進(jìn)而提高器件性能。
  iv)將含有溶劑添加劑DIO的有源層放入低真空條件下進(jìn)行后處理,加速有源層中殘余DIO的揮發(fā),進(jìn)一步優(yōu)化有源層的垂直結(jié)構(gòu)相分離的程度,使器件性能得到了進(jìn)一步提升。本實(shí)驗(yàn)分別利用室溫溶液、70℃溶液、室溫溶液摻雜DIO(3v%)以及70℃溶液摻雜DIO(3 v%)等條件制備PBDT-TS1∶ICBA(1∶1.5,wt/wt)或PBDT-T

12、S1∶PC61BM有源層,隨后迅速將有源層置于真空條件下(~1 Pa)進(jìn)行干燥處理。對(duì)于以茚-C60雙加合物(ICBA)為受體的器件,當(dāng)使用摻有DIO的70℃熱溶液制備有源層,器件的光電轉(zhuǎn)換效率最佳(4.32%);對(duì)于以[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)為受體的器件,當(dāng)使用摻有DIO的室溫溶液制各有源層,器件的光電轉(zhuǎn)換效率最佳(5.97%)。此結(jié)果表明:受體分子在隨DIO揮發(fā)遷移的過程中,還受到受體分子結(jié)構(gòu)的影響。ICB

13、A對(duì)稱性的分子結(jié)構(gòu)限制了其在聚合物所構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)中的擴(kuò)散,從而影響有源層中電子的傳輸能力。制備了以PBDT-TS1∶ICBA(1∶1.5,wt/wt)或PBDT-TS1∶PC61BM為有源層的electron-only器件,測(cè)量了不同有源層中的載流子遷移率,以ICBA為受體的有源層中電子遷移率比較低,說明未能形成有效的電子傳輸通道。
  v)采用工作溶劑與惰性溶劑的混合溶劑后處理未使用添加劑的有源層,通過調(diào)控工作溶劑與惰性溶劑的比例

14、、浸潤時(shí)間優(yōu)化有源層的相分離程度,提高聚合物太陽能電池的效率。本部分工作采用工作溶劑二氯甲烷或氯苯與惰性溶劑甲醇(10vol%)混合,調(diào)控PBDT-TS1∶PC71BM有源層的相分離,將器件的光電轉(zhuǎn)換效率從6.69%分別提高到7.21%或7.76%。通過研究薄膜的光致發(fā)光光譜、有源層混合溶劑處理前后水接觸角的變化,以及electron-only器件載流子遷移率的變化,初步澄清器件性能的提高主要是由于有源層中垂直結(jié)構(gòu)相分離的改善。針對(duì)不使

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