苝酰亞胺類分子的設(shè)計(jì)合成及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、基于苝-3,4:9,10-四羧酸二酰亞胺(苝酰亞胺)具有良好的光化學(xué)和熱穩(wěn)定性、高熒光量子效率、強(qiáng)還原電勢(shì)和高載流子遷移率,在場效應(yīng)晶體管、有機(jī)太陽能電池、超分子自組裝、化學(xué)傳感器等很多方面都得到廣泛研究和應(yīng)用。苝酰亞胺結(jié)構(gòu)的功能化及其光電性質(zhì)研究是近年來有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)。本論文圍繞材料分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)之間的關(guān)系展開,以苝酰亞胺為基本結(jié)構(gòu)單元,通過金屬偶聯(lián)以及過度金屬催化反應(yīng),對(duì)苝酰亞胺的bay位以及nonbay位進(jìn)行了功能化,簡

2、單高效地合成了一系列新型有機(jī)半導(dǎo)體功能分子,并對(duì)他們的光電性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究:
  1、目前,關(guān)于PDI單邊功能化的報(bào)道還比較少,本論文以四氯苝酰亞胺為原料,L-脯氨酸和CuI為活化體系,在堿的作用下,定向的得到四氯二并苝酰亞胺4CldiPDI,建立苝酰亞胺單邊定向功能化的合成策略。進(jìn)一步通過薄膜場效應(yīng)晶體管器件的研究,系統(tǒng)的研究了側(cè)鏈烷基鏈分叉位點(diǎn)的變化對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體材料薄膜形貌和電子遷移率的影響。實(shí)驗(yàn)證明,側(cè)鏈烷基鏈的分叉位點(diǎn)

3、對(duì)4CldiPBI化合物的薄膜形貌和電子遷移率有很大的影響;當(dāng)分叉位點(diǎn)在第二個(gè)碳上時(shí),薄膜器件的電子遷移率高達(dá)0.86cm2V-1s-1。
  2、通過過渡金屬Ru和Ir催化,我們實(shí)現(xiàn)了在苝酰亞胺nonbay位的一步功能化,并且通過在苝酰亞胺的nonbay引入硼酸酯,進(jìn)而轉(zhuǎn)化為鹵素,獲得了可將苝酰亞胺nonbay位進(jìn)一步功能化的反應(yīng)中間體,極大的豐富的苝酰亞胺的合成化學(xué)。我們以苝酰亞胺nonbay單溴取代化合物為原料,通過Ullm

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