瓦記錄磁盤數(shù)據(jù)組織方式設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、根據(jù)摩爾定律,磁存儲(chǔ)容量按照年60％的復(fù)合增長(zhǎng)率遞增。然而,受到超順磁效應(yīng)的影響,存儲(chǔ)面密度無(wú)法超越1Tb/in2的限制。為了進(jìn)一步提升磁存儲(chǔ)面密度,熱輔助記錄(heat-assistedrecording,HAMR)和晶格記錄(bitpatternedmedia,BPM)成為研究熱點(diǎn)。但是由于HAMR技術(shù)需要磁頭技術(shù)的突破,BPM技術(shù)需要磁介質(zhì)材料技術(shù)的突破,兩個(gè)技術(shù)都無(wú)法實(shí)用化。瓦存儲(chǔ)技術(shù)采用磁道堆疊的方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù),不需要對(duì)磁頭和介

2、質(zhì)本身進(jìn)行修正,就可以將存儲(chǔ)密度提高2-3倍,成為最有可能實(shí)用化的技術(shù)之一。然而瓦記錄由于采用覆蓋寫的技術(shù)而導(dǎo)致隨機(jī)寫性能嚴(yán)重衰減。如何解決此問(wèn)題成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。
　　采用日志方式修改地址映射邏輯,可有效的解決隨機(jī)寫性能衰減的問(wèn)題。將瓦記錄磁盤劃分為很多存儲(chǔ)單元,當(dāng)一個(gè)存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)需要修改時(shí),將修改追加到單元內(nèi)記錄的末尾;當(dāng)存儲(chǔ)單元的空間寫滿后,直接重新分配一個(gè)新的存儲(chǔ)單元,并將舊單元中的有效數(shù)據(jù)移動(dòng)至新單元。存儲(chǔ)設(shè)備上的