濕法腐蝕結(jié)合ZnO納米棒作為硅基太陽(yáng)能電池減反膜的研究.pdf

1、太陽(yáng)能電池是一種能有效的把光能轉(zhuǎn)化為電能為人們利用的設(shè)備。提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率無(wú)疑成為當(dāng)前的熱門(mén)研究之一，具有重要意義。而提高太陽(yáng)能電池表面對(duì)光的吸收是其中的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。表面減反層是一種具有良好的減少全波段光的反射，提高光吸收的有效手法。
　　本文利用折射率漸進(jìn)型減反層來(lái)減小硅表面的反射率。我們通過(guò)水熱法在硅表面生長(zhǎng)ZnO納米棒薄膜來(lái)減少硅片表面對(duì)光的反射，提高對(duì)光的吸收。我們先通過(guò)FDTD模擬來(lái)確定合適的納米棒形貌，然后

2、通過(guò)改變生長(zhǎng)條件來(lái)控制納米棒形貌，從而達(dá)到最好的抗反射效果。我們成功地把無(wú)任何處理的拋光硅片表面的反射率從35％左右減少到略低于10％。
　　我們又利用四甲基氫氧化銨(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)濕法腐蝕在硅表面腐蝕出金字塔結(jié)構(gòu)，使反射率下降到7％以下。然后再在腐蝕后的硅片表面生長(zhǎng)ZnO納米棒，使反射率進(jìn)一步下降到了3％左右。此工藝簡(jiǎn)易高效，低成本，重復(fù)性好，有望得到應(yīng)用。
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