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文檔簡(jiǎn)介
1、表面增強(qiáng)拉曼作為一種有效的分析檢測(cè)手段在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值,高靈敏高重復(fù)性SFRS活性基底的制備成為人們研究的熱點(diǎn)。
真空磁控濺射技術(shù)具有方便簡(jiǎn)單、效率高、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),可用來(lái)制備多種金屬薄膜,而嵌段共聚物模板組裝技術(shù)具有靈活可控、圖案豐富、操作簡(jiǎn)便、低成本等特點(diǎn),在調(diào)制納米陣列的形貌結(jié)構(gòu)方面具有優(yōu)勢(shì)。本文結(jié)合磁控濺射技術(shù)和嵌段共聚物模板,確立一種簡(jiǎn)便的方式調(diào)控制備銀納米結(jié)構(gòu),研究其構(gòu)效關(guān)系,為發(fā)展新型SERS活
2、性基底及其生物傳感應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
本文以嵌段共聚物PS-b-P4VP為模板,利用磁控濺射法,調(diào)控制備多種銀納米結(jié)構(gòu)基底,并檢測(cè)其SERS活性。研究?jī)?nèi)容主要包括以下幾個(gè)方面:
(1)硅平面上銀納米結(jié)構(gòu)的制備。確立了通過(guò)磁控濺射調(diào)控制備銀納米結(jié)構(gòu)的方法;通過(guò)改變?yōu)R射電流和時(shí)間,調(diào)控制備出了系列銀納米結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)由顆粒到溝壑狀薄膜到連續(xù)完整銀膜演變,其SERS活性隨結(jié)構(gòu)變化而變化,其中在溝壑結(jié)構(gòu)具有最大的SERS活性;研究了
3、plasma處理對(duì)銀納米結(jié)構(gòu)形貌的影響,揭示plasma處理可導(dǎo)致銀納米結(jié)構(gòu)的明顯變化,不同結(jié)構(gòu)導(dǎo)致不同的SERS活性。
(2)硅平面銀納米結(jié)構(gòu)的嵌段共聚物模板法制備。以硅表面PS-b-P4VP及其重構(gòu)模板為基底,結(jié)合磁控濺射技術(shù),獲得了基本復(fù)制模板圖案的系列銀納米結(jié)構(gòu),隨濺射時(shí)間的增加,結(jié)構(gòu)由顆粒到溝壑狀薄膜到連續(xù)完整銀膜演變,其SERS活性呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),在溝壑結(jié)構(gòu)時(shí)達(dá)到最大;模板重構(gòu)后納米孔結(jié)構(gòu)的SERS活性隨孔
4、徑增大而略有增大,但相對(duì)未重構(gòu)模板的凸起點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的較弱。
(3)硅納米孔表面銀納米結(jié)構(gòu)的調(diào)制。以PS-b-P4VP為掩模板,在硅表面上通過(guò)刻蝕制備出硅納米孔陣列;然后利用磁控濺射調(diào)控制備了納米孔一銀復(fù)合結(jié)構(gòu)。SERS研究結(jié)果顯示,硅納米孔-銀復(fù)合基底的SERS活性隨濺射時(shí)間的增加呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì);孔徑孔距對(duì)于SERS活性的影響研究結(jié)果表明,在本文考察范圍內(nèi)大孔徑可以獲得更強(qiáng)的SERS活性,而孔距的影響則較小。
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