In2Ge2O7納米帶的生長(zhǎng)及InGaZnO探測(cè)器的研制.pdf

1、過(guò)去的幾十年中，氧化物半導(dǎo)體材料因其在納米尺寸光電器件的潛在應(yīng)用而被廣泛的研究，
　　如紫外探測(cè)器和濕度敏感器等。多元氧化物半導(dǎo)體材料相對(duì)于單純二元氧化物半導(dǎo)體材料而言，由于其可以通過(guò)不同的化學(xué)計(jì)量配比來(lái)得到可調(diào)的性能，因而得到了廣泛關(guān)注。一維納米材料尤其是一維鍺系多元氧化物半導(dǎo)體材料更是在光催化，濕敏，紫外探測(cè)器，高能激光系統(tǒng)材料等方面有著很高的應(yīng)用前景。紫外探測(cè)技術(shù)是繼紅外和激光探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)，

2、紫外探測(cè)器由于受環(huán)境影響很小，探測(cè)精度高引起來(lái)人們的廣泛關(guān)注，IGZO四元薄膜材料，由于Ga+的摻入，降低了材料中帶氧缺陷，降低了器件的暗電流，增大了開(kāi)關(guān)比，從而提高探測(cè)器性能。主要研究工作如下：
　　1.采用熱蒸發(fā)單質(zhì) In顆粒和Ge粉末的化學(xué)氣相沉積方法成功地合成了1D In2Ge2O7納米帶。樣品產(chǎn)量大，形貌均勻，表面光滑，厚度均為~50 nm。通過(guò)SEM，XRD，HRTEM，EDX以及 Mapping對(duì)樣品的形貌、晶體結(jié)構(gòu)

3、、以及成分分布進(jìn)行了表征，表明樣品是單晶 In2Ge2O7納米帶，且結(jié)晶質(zhì)量非常好，同時(shí)提出了In2Ge2O7納米帶的生長(zhǎng)機(jī)制。
　　2.我們利用脈沖激光沉積方法室溫下在藍(lán)寶石襯底上成功制備了非晶銦鎵鋅氧（a-IGZO）薄膜，并首次在IGZO薄膜上制作MSM結(jié)構(gòu)的肖特基型紫外探測(cè)器，器件的響應(yīng)峰值位于310nm，截止波長(zhǎng)為352 nm，這與材料的吸收邊基本一致。在5V偏壓下,器件的暗電流小于0.6 nA,最大的響應(yīng)度為26.17m