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文檔簡介
1、本文采用較為簡便、傳統(tǒng)的溶膠-凝膠法合成了穩(wěn)定的SiO2、 TiO2溶膠，并利用機械旋涂法制備了高反射性能的光子晶體及帶有缺陷層的光子晶體，通過場發(fā)射電鏡對其斷面形貌進行了表征;主要以紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)為表征手段，通過旋涂速度、溶膠濃度、處理溫度旋涂層數(shù)等影響因素對光子晶體及其缺陷結(jié)構(gòu)的禁帶反射光譜的強度和位置進行了調(diào)控，探索出獲得高反射質(zhì)量的光子晶體所需要的條件。
用滲透的方法將有機發(fā)光體羅丹明B整合到光
2、子晶體及其缺陷結(jié)構(gòu)中，通過控制光子晶體禁帶位置來實現(xiàn)光子晶體禁帶對羅丹明B發(fā)射光譜不同區(qū)域的阻濾。主要以熒光光譜(PL)為表征手段，通過修飾前后羅丹明B光譜的變化得到如下結(jié)論:光子晶體禁帶的阻濾作用可以使羅丹明B發(fā)射光譜發(fā)生形狀、強度等變化;缺陷結(jié)構(gòu)光子晶體使羅丹明B的發(fā)射嚴(yán)格按照發(fā)射腔的位置進行，在增加發(fā)射強度上有很高的效率。
通過較為簡單的液相法制備出ZnO量子點，該量子點的直徑約5～7nm，并對其進行了TEM、XRD
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