版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、ZnO的禁帶寬度為3.37eV和激子束縛能為60meV,是制備半導(dǎo)體發(fā)光二極管和激光器的理想材料。ZnO基器件設(shè)計的一個重要步驟是實現(xiàn)其能帶調(diào)節(jié)從而制備量子阱結(jié)構(gòu)。為實現(xiàn)ZnO的能帶調(diào)節(jié),ZnMgO、ZnCdO以及ZnSO等合金薄膜的制備尤為重要。通過Cd的合金化形成的ZnCdO薄膜可以實現(xiàn)ZnO的帶邊發(fā)光從紫外到藍(lán)光甚至綠光波段范圍內(nèi)可調(diào)。因此,ZnCdO基異質(zhì)結(jié)或量子阱結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)ZnO基光電器件應(yīng)用必不可少的。
本文采用脈
2、沖激光沉積(PLD)的方法在石英襯底上制備了ZnO薄膜、ZnCdO、ZnSO和ZnNiO合金薄膜。通過優(yōu)化試驗參數(shù)得到平整的ZnO薄膜,帶隙可調(diào)的ZnCdO和ZnSO合金薄膜,以及具有室溫鐵磁性的ZnNiO合金薄膜。然后我們采用PLD方法在藍(lán)寶石襯底上制備了ZnCdO/ZnO量子阱結(jié)構(gòu)。通過光致發(fā)光譜,我們研究了該結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。
1.采用PLD制備了高質(zhì)量的ZnO薄膜、ZnCdO、ZnSO和ZnNiO合金薄膜。我們研究了襯底
3、溫度、沉積氧壓和靶材等參數(shù)對薄膜的影響。通過改變靶材中Cd含量,制備得到的ZnCdO合金薄膜最高摻入9.6%的Cd而不改變晶相,并且使得ZnCdO的禁帶寬度在室溫下從2.88eV至3.26eV范圍內(nèi)可調(diào)。通過改變襯底溫度,制備得到ZnSO合金薄膜最高摻入13.8%的S而不改變晶相,并且使得ZnSO的禁帶寬度在室溫下從3.11eV至3.26eV范圍內(nèi)可調(diào)。比較不同Ni含量ZnNiO薄膜和Na共摻ZnNiO薄膜,我們研究了其電學(xué)性能與磁學(xué)性
4、能的關(guān)系。Ni含量為3at.%的ZnNiO薄膜樣品,電學(xué)性能最佳,并具有室溫鐵磁性。通過對ZnNiO薄膜共摻Na,使得ZnNiO薄膜由n型向p型轉(zhuǎn)變,同時,室溫鐵磁性顯著增強,其矯頑力達(dá)100Oe,飽和磁化強度為0.08μB/atom。研究結(jié)果表明p型Na+有助于增強ZnNiO薄膜中的鐵磁交換作用。
2.制備了不同Cd含量ZnCdO/ZnO異質(zhì)結(jié)。通過XPS測試,計算得到ZnCd0.05O/ZnO和ZnCd0.1O/ZnO異質(zhì)
5、結(jié)中價帶偏移量分別為0.06eV和0.2eV,并繪制了ZnCdO/ZnO異質(zhì)結(jié)的能帶圖。在c面藍(lán)寶石襯底上成功制備了一系列不同阱寬的高質(zhì)量ZnCdO/ZnO量子阱結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明多量子阱的光學(xué)性能優(yōu)于單量子阱。通過XRD,STEM,EDS線掃描等測試結(jié)果證明所制備的多量子阱結(jié)構(gòu)具有周期性結(jié)構(gòu)、晶體質(zhì)量高和界面平整。變溫PL譜中發(fā)光峰S型偏移是由激子局域化效應(yīng)導(dǎo)致。我們提出了局域化激子隨溫度變化的行為模型,推算出ZnCdO/ZnO量子阱
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- PLD方法生長ZnO-ZnMgO量子阱及結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能研究.pdf
- ZnO基薄膜及多量子阱結(jié)構(gòu)的脈沖激光沉積制備與物性研究.pdf
- 反應(yīng)磁控濺射ZnO薄膜多量子阱及合金特性研究.pdf
- PLD方法制備ZnO、ZnMgO薄膜及ZnMgO-ZnO量子阱結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 非極性ZnO基薄膜制備及Na摻雜和ZnMgO-ZnO多量子阱研究.pdf
- 濺射ZnO薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究.pdf
- 脈沖激光沉積制備ZnO基量子阱及其光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- ZnO薄膜生長初期形貌以及ZnO基薄膜的光學(xué)性質(zhì).pdf
- ZnO基薄膜的光學(xué)及磁學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性能的研究.pdf
- 非極性ZnO基單晶薄膜的制備及ZnO-ZnMgO異質(zhì)結(jié)構(gòu)的性能研究.pdf
- ZnO:Al和ZnO:Fe薄膜的制備、結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- ZnO及ZnO基納米材料的制備與光學(xué)特性研究.pdf
- ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 硅基ZnO薄膜的生長及ZnO:H薄膜的特性研究.pdf
- Cu摻雜ZnO薄膜的制備及光學(xué)性能研究.pdf
- 沉積氣壓對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能影響.pdf
- ZnO以及ZnO-Al薄膜的制備和光學(xué)性能研究.pdf
- 金屬表面等離激元增強ZnO基薄膜及多量子阱發(fā)光.pdf
- ZnO薄膜生長行為和光學(xué)性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論