TSV功耗模型及功耗分析.pdf

1、集成電路中的芯片數(shù)量按照摩爾定律預(yù)測(cè)的速度飛速發(fā)展,在集成電路的設(shè)計(jì)中需要尋求新的互連技術(shù),三維集成電路TSV(硅通孔)技術(shù)引起了廣泛關(guān)注。三維集成電路提出了一種全新的提高IC集成度的方法,而TSV(硅通孔)技術(shù)作為一種全新的互連技術(shù),在三維集成電路中有著非常重要的作用?；ミB線功耗作為互連設(shè)計(jì)中不能忽略的一項(xiàng),非常關(guān)鍵。TSV工藝對(duì)其功耗的影響,成為TSV研究必不可少的一項(xiàng)。
　　本文目的是為了研究單個(gè)TSV和兩個(gè)TSV工藝對(duì)其功

2、耗的影響。在研究單個(gè)TSV功耗之前,本文首先對(duì)其功耗模型進(jìn)行了建立,確定其等效電路,對(duì)等效電路中的元件進(jìn)行計(jì)算,研究工藝對(duì)其等效電路中元件的影響,進(jìn)而通過(guò)功耗計(jì)算公式,就可得出工藝對(duì)其功耗的影響。
　　對(duì)于兩個(gè) TSV,首先研究了其三個(gè)等效模型,即П模型、T模型和傳輸線模型,本論文主要根據(jù)傳輸線模型來(lái)分析工藝對(duì)功耗的影響。用軟件HFSS作為輔助,可以求得傳輸線模型中元件的參數(shù)值,最后對(duì)其功耗進(jìn)行了分析。最終可以獲得TSV工藝的改變