版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、石墨烯是目前發(fā)現(xiàn)的唯一存在的二維自由態(tài)原子晶體,是構(gòu)筑零維富勒烯、一維碳納米管和三維體相石墨等sp2雜化碳的基本結(jié)構(gòu)單元,具有許多獨特性能。近年,發(fā)展迅速的石墨烯晶體管被認(rèn)為是后硅電子器件的最好選擇。當(dāng)然,石墨烯晶體管在實際應(yīng)用中還存在許多潛在的不明確的性能。本論文將介紹與石墨烯電子器件相關(guān)的特性,討論石墨烯場效應(yīng)晶體管(field-effecttransistor,F(xiàn)ET)的性能,以及研究石墨烯器件的可靠性。
石墨烯樣品
2、的制備是采用機械剝離高定向熱解石墨(HOPG)的方法。論文中將石墨烯薄片轉(zhuǎn)移到預(yù)先圖形化處理的襯底表面制成石墨烯FET。拉曼(Raman)光譜被用來鑒別石墨烯樣品的層數(shù)和質(zhì)量,原子力顯微鏡(AFM)被用來測試石墨烯樣品的厚度。
多層石墨烯的電流-電壓特性曲線經(jīng)過坐標(biāo)原點,且呈非線性。這種非線性特性是由多層石墨烯層與層之間的隧穿效應(yīng)引起的,且非線性電流與多層石墨烯的尺寸以及帶電雜質(zhì)在石墨烯表面的吸附有關(guān)。隧穿電流對石墨烯樣品
3、的厚度特別敏感,石墨烯樣品越?。▎螌映猓?,隧穿電流變化越明顯;雜質(zhì)帶正電(負電),多層石墨烯的電流-電壓曲線的拐點落在正電壓(負電壓)位置,拐點對應(yīng)的電壓大小反映雜質(zhì)濃度。
根據(jù)光的干涉效應(yīng),300nmSiO2表面的石墨烯能夠在光學(xué)顯微鏡下清晰地分辨。一般的背柵石墨烯FET采用300nm的SiO2作為柵氧,所需要的柵壓范圍超過100V,如此大的電壓范圍遠超出MEMS/NEMS的功耗。為了保證器件的性能,降低柵極供壓,有必
4、要減少柵氧的厚度,本論文采用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù)加工出柵氧厚度為~10nm的石墨烯FET。所制備出的石墨烯FET為雙極性器件,柵極供壓范圍在-4~4V之間。石墨烯FET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性受柵氧厚度、帶電雜質(zhì)和隧穿效應(yīng)等諸多因素的影響。
10nm的柵氧很薄,很容易在高電場下發(fā)生瞬時擊穿,薄柵石墨烯FET的可靠性是一個需要考慮的問題。高電場下,柵氧被擊穿,擊穿后的SiO2中會形成Si絲(Sifilament),石墨烯和
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究.pdf
- bntm鐵電柵石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究
- 隧穿場效應(yīng)晶體管和InGaAs場效應(yīng)晶體管的可靠性研究.pdf
- 石墨烯及其場效應(yīng)晶體管
- BNTM鐵電柵石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及其性能研究.pdf
- CVD石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究.pdf
- 石墨烯薄膜制備、場效應(yīng)晶體管構(gòu)建及其性能研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管電流模型的研究.pdf
- N摻雜石墨烯及其場效應(yīng)晶體管研究.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備與摻雜方法研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管設(shè)計加工及特性研究.pdf
- 氧化石墨烯基場效應(yīng)晶體管特性研究.pdf
- 有機場效應(yīng)晶體管及有機光敏場效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 石墨烯溝道鐵電場效應(yīng)晶體管電學(xué)性能的模擬.pdf
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管微波建模技術(shù)研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90069
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管太赫茲光電特性研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90476
評論
0/150
提交評論