2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、在磁約束聚變裝置中,等離子體輸運過程直接決定了裝置的約束性能。實驗上對離子和電子異常大輸運系數(shù)的測量結(jié)果表明托卡馬克等離子體中的粒子輸運是一種反常輸運。一般認為,等離子體芯部區(qū)域輸運主要由 ITG(離子溫度梯度模)和 TEM(俘獲電子模)所驅(qū)動。本文在 Weiland模型的基礎(chǔ)上,從考慮碰撞效應(yīng)的雙流體方程出發(fā),獲得了托卡馬克等離子體芯部區(qū)域ITG和TEM的色散關(guān)系,并針對HL-2A裝置計算了芯部等離子體在無雜質(zhì)情況下0.1

2、<2.0頻譜范圍內(nèi)這兩種不穩(wěn)定性模的增長率。
  無雜質(zhì)時芯部等離子體ITG和TEM增長率研究結(jié)果表明:ITG和TEM增長率與擾動波長密切相關(guān),且ITG和TEM都是閾值模。但ITG只由離子溫度梯度驅(qū)動,而TEM由電子溫度梯度和電子梯度兩者共同驅(qū)動。其中密度梯度對ITG模有致穩(wěn)作用,而對TEM有促進作用。ITG增長率隨離子溫度梯度增大而增大,但TEM增長率隨電子溫度梯度增大會先減小后增大。
  本文還分析了等離子體徑向位置,碰

3、撞,磁剪切對ITG和TEM增長率的影響,結(jié)果表明ITG和TEM增長率都會徑向位置?增大而增大,但TEM的增加幅度更大。碰撞對ITG和 TEM的影響取決于溫度梯度和密度梯度取值。低溫度梯度區(qū)域,當密度梯度較大時,碰撞會小幅抑制ITG。低密度梯度時,碰撞會促進TEM增長;高密度梯度時,低溫度梯度和高溫度梯度區(qū)域均會抑制TEM的發(fā)展,中間溫度梯度區(qū)域則會促進TEM的增長。磁剪切會抑制ITG增長,但對TEM的影響取決于溫度梯度取值。低溫度梯度時

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