背部Ag納米粒子對提高硅薄膜太陽能電池光吸收特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、如今太陽能電池的發(fā)展越來越快,怎么能讓太陽能電池擁有更高的轉(zhuǎn)換效率,正是人們不斷研究的新問題。我們可以在太陽能電池中應(yīng)用金屬納米粒子,這樣一來,局域共振場就會增強,這是因為通過金屬納米粒子的作用而產(chǎn)生了表面等離子體振蕩,在這種作用下,共振前向散射截面就會增加,同時也使得光在太陽能電池內(nèi)部的傳輸路徑也有所增加,從而增強了有源介質(zhì)的吸收,最終完成我們要達到的目的——提高光在太陽能電池中的吸收。
  本文設(shè)計的結(jié)構(gòu)是以單晶硅作為太陽能電

2、池的基底,在太陽能電池的背部,放置圓柱狀的Ag納米粒子,通過時域有限差分法,對此結(jié)構(gòu)的光吸收增益進行模擬。本文詳細模擬了影響光吸收增益的因素,如:納米粒子的半徑、周期等。通過模擬得出,當硅基底厚度為500納米、納米粒子的高度為100納米、納米粒子的半徑為350納米,納米粒子的底面積與單位周期正方形面積的比值為0.785時,可以得到最大的光吸收增益1.522。隨后,又加入了SiO2鈍化層在硅基底與Ag納米粒子之間。并模擬出光吸收增益在鈍化

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