2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著計算機技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存已經(jīng)成為計算機能耗降低和性能提升的主要瓶頸。下一代內(nèi)存必然有容量密度高,能耗低,性能好的特點。PCM有良好的伸縮性,一個單元可以存儲多個比特信息,以及很好的非易失性。同時,PCM作為主存時的能耗要比DRAM低。但是PCM也有訪問延遲相對DRAM較大,以及可寫次數(shù)有限的缺點。不過,以PCM(PhaseChange Memory)為代表的非易失性存儲器(Non-Volatile Memory)是非常有希望成為傳統(tǒng)D

2、RAM技術(shù)的替代者。針對于PCM和傳統(tǒng)DRAM這兩種技術(shù)的優(yōu)缺點互補,混合內(nèi)存可以結(jié)合兩種技術(shù)的優(yōu)點,同時又克服兩者的缺點。
  本文采用傳統(tǒng)DRAM搭配PCM組成混合內(nèi)存架構(gòu),并在此基礎(chǔ)上利用軟硬件結(jié)合的方法研究如何降低系統(tǒng)能耗。本文的主要貢獻如下:
  1.在傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存參數(shù)模型基礎(chǔ)上,提出統(tǒng)一的混合內(nèi)存參數(shù)模型,并建立起混合內(nèi)存的能耗評估公式。
  2.在混合內(nèi)存架構(gòu)的基礎(chǔ)上,對內(nèi)存控制器進行改造,添加的一張

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