面向非易失存儲器PCM的節(jié)能技術(shù)研究.pdf

1、隨著計算機技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存已經(jīng)成為計算機能耗降低和性能提升的主要瓶頸。下一代內(nèi)存必然有容量密度高，能耗低，性能好的特點。PCM有良好的伸縮性，一個單元可以存儲多個比特信息，以及很好的非易失性。同時，PCM作為主存時的能耗要比DRAM低。但是PCM也有訪問延遲相對DRAM較大，以及可寫次數(shù)有限的缺點。不過，以PCM(PhaseChange Memory)為代表的非易失性存儲器(Non-Volatile Memory)是非常有希望成為傳統(tǒng)D

2、RAM技術(shù)的替代者。針對于PCM和傳統(tǒng)DRAM這兩種技術(shù)的優(yōu)缺點互補，混合內(nèi)存可以結(jié)合兩種技術(shù)的優(yōu)點，同時又克服兩者的缺點。
　　本文采用傳統(tǒng)DRAM搭配PCM組成混合內(nèi)存架構(gòu)，并在此基礎(chǔ)上利用軟硬件結(jié)合的方法研究如何降低系統(tǒng)能耗。本文的主要貢獻如下:
　　1.在傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存參數(shù)模型基礎(chǔ)上，提出統(tǒng)一的混合內(nèi)存參數(shù)模型，并建立起混合內(nèi)存的能耗評估公式。
　　2.在混合內(nèi)存架構(gòu)的基礎(chǔ)上，對內(nèi)存控制器進行改造，添加的一張