APCVD制備大面積單層石墨烯、三維石墨烯結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、石墨烯，作為第一種被實(shí)驗(yàn)證實(shí)真正存在的二維材料，在材料科學(xué)領(lǐng)域具有舉足輕重的地位。石墨烯由于其優(yōu)秀的性能，如高導(dǎo)電性、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率等性質(zhì)，在光伏、能源、微電子等方面有廣泛的應(yīng)用，尤其是在微電子領(lǐng)域，更是被視為替代傳統(tǒng)硅材料的最佳選擇。但這一切的前提是大批量制備高質(zhì)量石墨烯。綜合考慮各種制備方法，氣相沉積法被認(rèn)為是最有潛力的制備高質(zhì)量石墨烯的方法。
　　但是，氣相沉積法制備石墨烯仍然存在一定的問題，絕大多數(shù)石墨烯生長制備實(shí)驗(yàn)

2、需要低壓環(huán)境，石墨烯在金屬基底表面制備完成后需要再次轉(zhuǎn)移等，這些仍需要進(jìn)一步的深入研究。
　　針對目前的研究狀況，本論文主要進(jìn)行了以下兩方面的工作。
　　針對低壓氣相沉積的固有缺點(diǎn)，探索采用常壓氣相沉積在銅箔基底上制備大面積單雙層石墨烯。通過對文獻(xiàn)的總結(jié)以及不斷的實(shí)驗(yàn)優(yōu)化，獲得了優(yōu)化后的合適實(shí)驗(yàn)氣流參數(shù)。進(jìn)一步采用兩個瓷舟，構(gòu)造準(zhǔn)密閉空間，以實(shí)現(xiàn)對高溫下銅基底蒸發(fā)的抑制，同時營造更穩(wěn)定均勻的氣流環(huán)境，最終在常壓條件下制備獲得