鋁合金表面氧化硅及其復合膜的制備與性能研究.pdf

1、為提高鋁合金陽極氧化膜的耐蝕性能，本論文采用電泳沉積和空壓噴涂方法在鋁合金陽極氧化膜上制備涂層，再通過高溫燒結(jié)作為后續(xù)處理。用單因素實驗、正交實驗等方法，通過對制備膜層膜厚、酸性點滴時間、顯微硬度、耐堿時間、交流阻抗Nyquist圖和極化曲線等測試，利用掃描電子顯微鏡(SEM)、傅里葉紅外光譜儀(IR)等表征方法，研究了電泳電壓、電泳時間、電泳次數(shù)對氧化硅涂層、硅烷膜、改性氧化硅涂層性能的影響。實驗的主要結(jié)論如下:
　　電泳S型硅

2、溶膠的最佳工藝參數(shù):電泳電壓10V，電泳時問為2min，電泳次數(shù)為1次;電泳H型硅溶膠的最佳工藝參數(shù):電泳電壓12V，電泳時間為2min，電泳次數(shù)為2次。得到涂層的厚度為20μm左右。
　　電泳法制備硅烷膜的最佳工藝參數(shù):電泳ZH2硅烷的最佳工藝參數(shù)為電泳電壓12V。通過掃描電鏡，硅烷膜在陽極氧化膜上的沉積均勻致密，在不同倍率下均不能看到明顯的陽極氧化膜孔的存在;在低倍率下看到硅烷膜十分均勻，但在高倍率下可以看到硅烷膜有裂紋出現(xiàn);

3、通過非磁性測厚儀測試，膜層的厚度為22μm左右。
　　經(jīng)過單因素實驗分析，結(jié)果表明硅烷改性硅溶膠的最佳工藝:溶膠pH值為10，SG用量為0.3g，緩蝕劑用量為0.5mL，加入羧甲基纖維素1.5mg，最后加入0.4gZH3，得到穩(wěn)定性、改性良好的改性硅溶膠。采用噴涂法對鋁合金陽極氧化膜孔進行封閉，噴涂次數(shù)為3次，可以獲得各性能較佳的改性硅溶膠涂層。通過掃描電鏡，改性氧化硅微粒均勻致密的沉積在陽極氧化膜上，但在高倍率下可以看到硅烷膜有