納米晶硒化鉛薄膜的制備及表征研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均己在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校玫讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬北

2、京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文?？谡撐臅翰还_(kāi)(或保密)注釋?zhuān)罕緦W(xué)位論文屬于暫不公開(kāi)(或保密)范圍，在一年解密后適用本授權(quán)書(shū)。囪非暫不公開(kāi)(或保密)論文注釋?zhuān)罕緦W(xué)位論文不屬于暫不公開(kāi)(或保密)范圍，適用本授權(quán)書(shū)。日期：型f生：6：三Et期：竺!幺蔓：2～——摘要納米晶硒化鉛薄膜的制

3、備及表征研究rJlllrlllPll／llllllPilllllllllllPirllllrljllY2629050摘要本文分別利用射頻磁控濺射法和真空蒸發(fā)法制備了硒化鉛(PbSe)薄膜，研究了主要工藝參數(shù)對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明：PbSe薄膜多表現(xiàn)出(200)晶面的擇優(yōu)取向，薄膜的結(jié)晶質(zhì)量較好。當(dāng)襯底溫度超過(guò)250oC后，薄膜的擇優(yōu)取向變?yōu)?220)晶面，主要是由于襯底溫度升高，微觀應(yīng)力增大，晶粒趨向于在能顯

4、著降低微觀應(yīng)力的面上生長(zhǎng)，從而沿具有最小微觀應(yīng)變能的(220)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)。PbSe薄膜的表面形貌以球形顆粒為主，但當(dāng)襯底溫度超過(guò)250oC后轉(zhuǎn)變?yōu)槿切徒Y(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)于擇優(yōu)取向的變化；濺射氣壓增大至20Pa后呈現(xiàn)出無(wú)規(guī)片狀結(jié)構(gòu)；而真空蒸發(fā)PbSe薄膜厚度達(dá)到93am和127am后則團(tuán)聚成蠕蟲(chóng)狀結(jié)構(gòu)。PbSe薄膜的光學(xué)帶隙寬度可調(diào)，利用磁控濺射法制備的薄膜的帶隙寬度主要集中1316eV之間，明顯小于真空蒸發(fā)法所得樣品的帶隙寬度(205230