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文檔簡介
1、太赫茲技術是被譽為未來重要的十大技術之一，有關太赫茲技術的研究是當今國際研究領域的前沿和熱點。關于太赫茲技術源與耿氏器件的關鍵技術的研究的探索，得到國際國內(nèi)研究機構的很大關注。耿氏器件是太赫茲振蕩源不可或缺的核心器件之一。本論文旨在研究磷化銦材料的耿氏源的關鍵技術與工藝，其中核心器件的研究與工藝的開發(fā)是目前國內(nèi)研究的重點，探索目前國內(nèi)的常規(guī)技術與微電子制備耿氏器件的工藝相結合，以解決耿氏器件的刻蝕、金屬半導體接觸、測量、散熱、等技術難題
2、。在較低成本下，實現(xiàn)磷化銦基耿氏管可重復制備。
總體來說，本論文的研究重點以及成果主要有如下幾個方面:探索了n+nn+型漸變性耿氏器件的外延結構的設計:在對于制備磷化銦半導體材料的耿氏管外延結構設計的研究經(jīng)驗非常少的情況下，系統(tǒng)的探索了不同外延結構的耿氏器件的工作電壓電流的關系，n+n型外延結構制各的耿氏管存在小的勢壘，是電流密度較小，能減少熱效應對其影響;而n+nn+型外延結構兩端的接觸性能較好，制備出的耿氏管電流相對較高，
3、在理論上能提高功率。外延結構決定了器件的工作性質，對器件工作的模式，外延片設計的基礎研究等有很大的影響，因此需要根據(jù)后續(xù)工藝制備條件，系統(tǒng)的考慮外延片設計參數(shù)，如外延片的渡越區(qū)的長度等因素。
制備了不同尺寸的陰極的耿氏管，測試耿氏管電壓電流的特性:其陰極尺寸直徑為10-60μm，制備的雙圓環(huán)電極的耿氏器件，其閾值電壓為4.4-4.8V,但其電流隨著陰極尺寸的變小，其飽和電流也變小，陰極尺寸為40-60μm的耿氏管的電流在292
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