鋯鉿氧薄膜的電輸運及阻變特性研究.pdf

1、采用磁控濺射的方法在Pt電極上沉積了鋯鉿氧薄膜,并制備了Pt/Zr0.5Hf0.5O2/Pt結(jié)構(gòu)的電容器,用XRD表征了鋯鉿氧薄膜的結(jié)晶狀態(tài),通過在不同溫度下測量電容器的漏電流曲線,研究了制備的鋯鉿氧薄膜的電輸運特性及機制。XRD測量的結(jié)果顯示所制備的鋯鉿氧薄膜的結(jié)晶狀態(tài)處于多晶態(tài)和非晶態(tài)之間。通過分析電容器的I-V特性曲線,發(fā)現(xiàn)薄膜中大量的電荷陷阱利用TAT、T-FAT和Pool-Frenkel效應(yīng)完成電子的輸運。
　　采用射頻

2、磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上、室溫下制備出了In-Ga-Zn-O透明導(dǎo)電薄膜。系統(tǒng)研究了退火溫度和沉積功率對薄膜的結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能和光學(xué)性能的影響。關(guān)于In-Ga-Zn-O薄膜在不同溫度下退火的研究結(jié)果表明,在300℃至500℃的退火溫度范圍內(nèi),退火后的In-Ga-Zn-O薄膜為非晶薄膜,500-800nm可見光范圍內(nèi),薄膜的平均透過率超過80％。350℃退火后樣品的電阻率最低,光學(xué)帶隙最大,達到3.91eV。關(guān)于In-Ga-Zn-O薄膜在不

3、同沉積功率下制備的研究結(jié)果表明,在80-150W的沉積功率范圍內(nèi),實驗制備的In-Ga-Zn-O薄膜為非晶薄膜,500-800nm可見光范圍內(nèi),薄膜的平均透過率超過90%。薄膜的電阻率隨著沉積功率的增大而降低,禁帶寬度隨著沉積功率增加而減小。
　　采用射頻磁控濺射法制備了α-IGZO/Zr0.5Hf0.5O2/α-IGZO結(jié)構(gòu)的全透明的阻變存儲器(TRRAM)。系統(tǒng)研究了該存儲器的薄膜結(jié)構(gòu)、透光率、阻變性能和阻變機制。通過測量 X