氫化非晶硅液晶空間光調(diào)制器的制備與性能研究.pdf

1、液晶空間光調(diào)制器是一種對光波的光場分布進(jìn)行調(diào)制的器件,它能夠接受較低強(qiáng)度的光驅(qū)信號或電驅(qū)信號,實(shí)現(xiàn)對另外一種光信號振幅、相位、強(qiáng)度的調(diào)制。其廣泛應(yīng)用于空間濾波、圖像處理、大屏幕顯示等,極大的方便了視覺信息的交流和傳遞。因此研究液晶空間光調(diào)制器各功能層性質(zhì)從而提高器件分辨率,響應(yīng)速度等具有十分重要意義。
　　論文首先介紹了液晶空間光調(diào)制器的工作原理,從理論上提出器件對各功能層的要求。其中光敏層的亮暗電導(dǎo)比直接決定了器件性能優(yōu)良,論文

2、中采用氫化非晶硅薄膜作為光敏層,通過調(diào)節(jié)不同工藝參數(shù),借助多種分析測試方法,研究了氣體溫度、射頻功率密度、氣體流量、壓強(qiáng)和不同摻雜比對非晶硅薄膜光電性能的影響。并根據(jù)測試結(jié)果優(yōu)化工藝參數(shù),制備出性能良好的薄膜。
　　采用等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)法,在ITO玻璃襯底上制備出硼輕摻雜比的氫化非晶硅(a-Si:H)半導(dǎo)體薄膜。測量了樣品光暗電導(dǎo)率,折射率,消光系數(shù),禁帶寬度隨摻雜比的變化。結(jié)果表明:隨著硼摻雜比濃度的增加,薄膜

3、的暗電導(dǎo)率先減小后增大。消光系數(shù),禁帶寬度等都隨著摻雜量的增加而變化。實(shí)驗(yàn)在改變不同工藝條件的情況下,改變硼摻雜濃度,確定了最佳摻雜比(光暗電導(dǎo)率之比最大)。此后依次制備出適合器件級的微摻雜氫化非晶硅薄膜光敏層、吸收層、介質(zhì)鏡等。
　　采用熱蒸發(fā)法 CdTe薄膜,并且使用紫外-可見光光分度計(jì)測試了薄膜的透過率。在此基礎(chǔ)上測試了氫化非晶硅薄膜與CdTe薄膜復(fù)合層的透過率。介質(zhì)鏡在器件中主要是隔絕寫入光與讀出光。測試顯示制備出的介質(zhì)鏡