2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩70頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、作為第三代半導(dǎo)體材料,AlGaN/GaN以其高擊穿場強、高電子飽和速度以及高二維電子氣(2DEG)密度而引起人們的廣泛興趣。相比于傳統(tǒng)的Si基器件,AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)在能量密度、開關(guān)速度、工作溫度以及封裝尺寸等方面具有明顯的優(yōu)勢。其中增強型器件是目前GaN功率開關(guān)器件的研究熱點,而傳統(tǒng)的增強型AlGaN/GaN HEMT的閾值電壓太低。因此本文對一種新型的高閾值電壓AlGaN/GaN HEMT進(jìn)行了研究,其

2、主要內(nèi)容如下:
 ?。?)分析傳統(tǒng)的凹槽柵增強型AlGaN/GaN HEMT的工作原理,并進(jìn)行該器件的流片實驗。試驗中對歐姆淀積工藝進(jìn)行了改善,歐姆接觸電阻為0.428Ω·mm;并開發(fā)出了一種高效率、低損傷的凹槽刻蝕法,刻蝕后材料表面的粗糙度為0.4 nm。制成的器件最大電流密度為624 mA/mm,閾值電壓1.35 V,性能與同期的國際先進(jìn)水平相當(dāng)。
 ?。?)基于Sentaurus軟件對三維圍柵增強型AlGaN/GaN

3、HEMT進(jìn)行仿真分析。通過分析圍柵的能帶調(diào)控原理,闡述了2DEG、側(cè)面導(dǎo)電通道的耗盡與形成。當(dāng)器件寬度為60 nm時,器件的閾值電壓為0.44 V,電流密度超過1.3 A/mm,由于三維柵極對異質(zhì)結(jié)溝道具有更強的調(diào)控作用,器件的亞閾斜率低至75 mV/dec,最大跨導(dǎo)超過850 mS/mm。
 ?。?)提出了一種新型的三維隧穿增強型AlGaN/GaN HEMT,并使用Sentaurus軟件進(jìn)行仿真分析。該器件利用源極肖特基金屬形成

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論