2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩84頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、為了提高鋁合金的耐蝕性,鋁合金表面處理技術(shù)顯得尤為重要。傳統(tǒng)的鉻酸鹽轉(zhuǎn)化膜由于環(huán)保限制而逐步禁用,稀土轉(zhuǎn)化膜和硅氧烷膜等環(huán)境友好的轉(zhuǎn)化膜工藝正在快速發(fā)展,并有望替代鉻酸鹽轉(zhuǎn)化膜。本文采用鈰鹽/硅氧烷順序沉積法,制備出性能優(yōu)于現(xiàn)有同步摻雜法的復(fù)合膜,并在保證耐蝕性的條件下制備出超疏水膜,滿足了苛刻環(huán)境對鋁合金表面工藝提出的新要求。
  本文采用3D顯微鏡、SEM、EDX等形貌觀測方法,以及腐蝕電位、電化學(xué)阻抗(EIS)、電化學(xué)噪聲(

2、ECN)等電化學(xué)測試技術(shù),探討了6063鋁合金在3%NaCl中的局部腐蝕規(guī)律。發(fā)現(xiàn)6063鋁合金主要發(fā)生以點蝕為代表的局部腐蝕,其中Mg2Si、AlFeSi等金屬間化合物作為點蝕引發(fā)源。在試樣浸入溶液的前20h內(nèi)蝕點基本得到穩(wěn)定化,隨著孔內(nèi)陰極相的暴露,自腐蝕電位略微正移。后期由于孔內(nèi)陰極相的剝離,導(dǎo)致蝕孔生長的驅(qū)動力下降,蝕孔擴展速率下降。電化學(xué)噪聲監(jiān)測表明:此時電位噪聲曲線中出現(xiàn)較多的負向跳變瞬態(tài)峰。
  本文還探討了 CeC

3、l3濃度、H2O2濃度和沉積時間等因素對鈰鹽轉(zhuǎn)化膜耐蝕性能的影響,并優(yōu)化了膜的制備工藝。極化曲線和交流阻抗測試表明:在腐蝕初期鈰鹽轉(zhuǎn)化膜有一定的防護效果,但在3% NaCl中浸泡一個星期后,表面即會出現(xiàn)大量點蝕坑,說明鈰鹽轉(zhuǎn)化膜的長期耐蝕性有限。
  通過優(yōu)化鈰鹽摻雜硅氧烷復(fù)合膜的制備工藝,在鋁合金表面上制備出耐蝕性能較好的鈰鹽/硅氧烷復(fù)合膜。電化學(xué)測試與微觀形貌分析表明:鈰鹽的加入雖然能抑制膜下鋁合金基體的點蝕形核速率,但卻降低

4、了硅氧烷膜層的電阻,破壞了其物理隔絕性能。為了發(fā)揮鈰鹽和硅氧烷各自的優(yōu)點,本文提出了采用鈰鹽/硅氧烷順序沉積法制備復(fù)合膜,并與現(xiàn)有的鈰鹽摻雜硅氧烷法以及先硅氧烷后鈰鹽法制備的復(fù)合膜進行對比,發(fā)現(xiàn)順序沉積法制備的復(fù)合膜極化電阻高達2.16×107Ω,較摻雜法和硅氧烷/鈰鹽法明顯提高,這是因為鈰鹽/硅氧烷順序沉積法中,優(yōu)先沉積的鈰鹽膜能增強鋁基體與硅氧烷的結(jié)合,同時由于外層硅氧烷膜的包裹,由離子遷移造成的膜層破壞及鈰鹽的溶出損失也受到了抑制

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論