氧化石墨烯在水合肼體系中對單晶硅織構(gòu)化的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、單晶硅太陽能電池的表面反射率是影響其光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。硅片表面織構(gòu)化在降低表面反射率方面起著重要作用。
　　本文鑒于碳納米材料具有較高的比表面積、高的反應(yīng)活性、良好的生物兼容性以及物料豐富價格低廉等獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，將石墨烯基的納米碳材料應(yīng)用到單晶硅的織構(gòu)化中，期望能縮短制絨周期、改善絨面的金字塔形貌。主要研究內(nèi)容如下：
　　(1)氧化石墨烯(GO)和還原氧化石墨烯(RGO)的制備與表征。采用改進(jìn)的Hummers法制備氧

2、化石墨烯，然后采用水合肼對其進(jìn)行還原，還原不同時間得到不同還原態(tài)的氧化石墨烯，并對兩者做FTIR、SE M、DF M表征。結(jié)果表明，所制備的氧化石墨烯中含有羥基、羰基、羧基等含氧官能團(tuán)；經(jīng)過水合肼還原后官能團(tuán)的數(shù)量減少，有的甚至消失；從形貌上看，氧化石墨烯呈透明薄片狀層層堆疊在一起，是片層結(jié)構(gòu)，片層間距在0.97 nm左右；而經(jīng)過還原后的氧化石墨烯，片狀結(jié)構(gòu)相對來說堆積的更密集些，片層間距在0.74 nm左右。
　　(2)不同濃度

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