SiC單晶片研磨過(guò)程材料去除仿真及材料去除率建模.pdf

1、隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體材料的需求越來(lái)越大，對(duì)各種元器件的性能要求也越來(lái)越高。碳化硅(SiC)單晶作為理想的半導(dǎo)體材料，其需求量日益增加，但其高強(qiáng)度、高硬度和高脆性使其加工成高精度、高質(zhì)量的元器件成為一大難題。而研磨作為SiC單晶片加工中的重要工序，其實(shí)質(zhì)是利用磨粒對(duì)零件表面不斷刻劃、切削去除材料。研究表明SiC的加工存在塑性域，對(duì)其研究表明當(dāng)磨粒切削深度小于材料臨界切削深度，材料將以塑性模式去除，得到光滑平整的加工表面，隨著切

2、削深度的增加，材料的去除方式會(huì)逐漸改變，得到的表面形貌也發(fā)生變化。所以進(jìn)一步研究其加工機(jī)理對(duì)于提高SiC單晶研磨質(zhì)量十分重要。
　　本文研究了脆性材料塑性研磨加工機(jī)理，通過(guò)表面分形理論分析了磨粒與晶片的接觸過(guò)程，通過(guò)對(duì)材料去除率模型的改進(jìn)，使模型能夠反應(yīng)不同表面形貌對(duì)材料去除的影響，并通過(guò)數(shù)值仿真預(yù)測(cè)了各加工參數(shù)對(duì)加工過(guò)程的影響。
　　完成了單顆磨粒研磨加工仿真研究，以進(jìn)一步研究研磨加工機(jī)理，并證明所建立模型的可靠性。通過(guò)實(shí)