PMN基弛豫鐵電晶體的生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)與性能.pdf

1、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)基弛豫鐵電晶體具有優(yōu)異的介電、壓電、熱釋電以及場(chǎng)致應(yīng)變等性能，在醫(yī)用成像儀、換能器、超聲馬達(dá)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但是，PMN-xPT晶體較低的矯頑場(chǎng)，在高電場(chǎng)下易被極化，限制了其在大功率器件方面的應(yīng)用。此外，該類材料作為一種多功能材料，其光學(xué)性能方面的不足，影響了該類材料在光電耦合器件領(lǐng)域的應(yīng)用，比如熒光成像和上轉(zhuǎn)換激光等?；谝陨蠁?wèn)題，本文制備了PMN基弛豫鐵電晶體PMN、PMN-32PT

2、以及Er3+摻PMN-32PT，研究了晶體的生長(zhǎng)機(jī)制、結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能以及光學(xué)性能，探討了晶體下轉(zhuǎn)換發(fā)光和上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制。結(jié)果表明:
　　采用高溫溶液法生長(zhǎng)的PMN弛豫鐵電晶體具有鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)。晶體表面平整但存在生長(zhǎng)臺(tái)階，晶體顯露面為{100}晶面族，生長(zhǎng)最快方向是[111]方向，最慢方向是[100]方向，[110]方向介于二者之間。
　　PMN-32PT熔體在高溫熔融狀態(tài)和晶體生長(zhǎng)過(guò)程中均具有導(dǎo)電性，其電阻值低于200Ω。P

3、MN-32PT晶體室溫下介電常數(shù)ε33、介電損耗tanδ、壓電常數(shù)d33和矯頑場(chǎng)Ec分別是4056、0.023、1072pC/N和5.22kV/cm。
　　采用高溫溶液法生長(zhǎng)了Er3+摻雜PMN-32PT弛豫鐵電晶體，改善了PMN-32PT的光學(xué)性能。晶體的室溫介電常數(shù)ε33、壓電常數(shù)d33以及矯頑場(chǎng)Ec分別是4300、1210pC/N和6.37kV/cm，矯頑場(chǎng)明顯高于PMN-32PT。晶體具有較強(qiáng)的介電弛豫特性，其相變彌散度隨