飛秒激光刻蝕制備黑硅及其特性研究.pdf

1、由于黑硅具有特殊的表面形貌結(jié)構(gòu)及良好的寬光譜吸收特性，近幾年來受到國內(nèi)外學者廣泛關(guān)注。目前這一新型材料在太陽能電池、光電探測等領域中的應用研究已逐漸深入。我們搭建了一套飛秒激光刻蝕黑硅實驗光路系統(tǒng)，利用該系統(tǒng)制備硫和硒摻雜黑硅，對不同實驗參數(shù)下加工黑硅表面形貌進行研究，分析比較背景氣體類型、激光能量密度、激光刻蝕脈沖數(shù)目對硒摻雜黑硅表面形貌影響。測試不同條件下加工黑硅樣品光學吸收特性，比較分析背景氣體類型，Si基片上覆蓋單層和雙層薄膜，

2、激光能量密度和掃描激光脈沖數(shù)目對加工黑硅材料光學性能影響。對制備硒摻雜黑硅材料，采用EDS分析其表面元素成分。分析表明，摻雜黑硅在400-2200nm的高吸收，主要是表面微結(jié)構(gòu)對光的多重反射、引入的雜質(zhì)能級和缺陷能級等因素引起。
　　本文對飛秒激光刻蝕黑硅上制備電極后的電學性能研究表明，制備的黑硅表面與金屬之間形成歐姆接觸，同時載流子遷移率和電阻率都會下降，并且摻雜黑硅相比于沒有摻雜黑硅，載流子密度具有一定提升。在摻雜黑硅上制備N