混合存儲中雙模閃存和磁盤智能耦合研究.pdf

1、磁盤存取速度的提升無法滿足大數(shù)據(jù)時代對海量數(shù)據(jù)的存取需求，這正逐漸成為影響計算機(jī)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。閃存的出現(xiàn)給存儲系統(tǒng)提供了一種新的發(fā)展方向，但其高成本也限制了它的大范圍推廣?；诖?，結(jié)合閃存和磁盤二者優(yōu)勢的混合存儲系統(tǒng)成為當(dāng)前存儲界的研究熱點(diǎn)之一。當(dāng)前，閃存芯片主要包括Single-Level Cell（SLC）芯片和Multi-Level Cell（MLC）芯片，SLC芯片成本高、容量小、速度快；MLC芯片成本低、容量大、速度慢。

2、
　　本文提出了一種基于雙模閃存的混合存儲系統(tǒng)（DMFMHS），該混合存儲系統(tǒng)基于內(nèi)容局部性原理，將數(shù)據(jù)分為兩種類型：以讀操作為主的參考數(shù)據(jù)塊和以寫操作為主的差量數(shù)據(jù)，將參考數(shù)據(jù)存入SLC閃存芯片；系統(tǒng)根據(jù)數(shù)據(jù)存取的冷熱程度，將熱數(shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)（差量數(shù)據(jù)）分別順序存儲在MLC閃存芯片或磁盤中（系統(tǒng)智能識別冷熱數(shù)據(jù)并在MLC閃存和磁盤之間遷移）；而元數(shù)據(jù)管理原始數(shù)據(jù)塊所對應(yīng)的參考塊和差量數(shù)據(jù)的物理位置。
　　為驗證DMFMHS系