磷化銦微納光學陣列元件的約束刻蝕加工研究.pdf

1、微機電系統(tǒng)（MEMS）自上個世紀80年代誕生以來，就不斷的推動著制造技術向微型化發(fā)展。其中利用電化學方法進行微納米尺度的加工方法，引起了人們的廣泛關注。相對于傳統(tǒng)的微加工技術，如IC工藝、電子束與離子束加工等，電化學加工方法具有其獨特的優(yōu)勢：加工分辨率高、工藝簡單、成本低廉、加工表面無殘余應力等，使得越來越多的研究者將目光聚集到這一研究領域。磷化銦作為第二代半導體材料，是一種非常重要的光電材料，對其進行微結構加工具有重要意義。本論文圍繞

2、約束刻蝕劑層技術在半導體材料磷化銦表面上進行復雜三維微納結構的復制加工進行研究，并且成功地加工出了具有高分辨率的陣列微光學結構。論文主要工作與結論如下：
　　1、通過元素化學和同類化合物半導體材料之間化學性質的比較探討，結合電化學測試與腐蝕失重測量，選擇了HNO3/HCl及Br2/HCl作為對磷化銦的刻蝕體系。通過循環(huán)伏安特性曲線測量與分析對所選體系進行了考察與驗證，確定了對應的捕捉劑NaOH與L-胱氨酸。
　　2、利用標準

3、鉑圓柱電極對于兩種所選體系進行了微孔刻蝕加工研究，通過對刻蝕結果的分析，最終選擇Br2/HCl/L-胱氨酸作為磷化銦加工的刻蝕體系；通過系統(tǒng)的刻蝕加工實驗表明：當L-胱氨酸與所加入的NaBr的比值為3:1時，能取得比較好的加工精度，初步確定了在具體加工條件下Br2/HCl/L-胱氨酸體系的刻蝕加工分辨率。
　　3、利用CELT技術在磷化銦表面進行微光學陣列元件的加工，成功地在n-InP表面加工出了大面積微光學凹透鏡陣列結構。對直徑