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1、納米氫氧化鎂晶須是綠色阻燃增強(qiáng)的新型功能材料。目前,對(duì)納米氫氧化鎂晶須的研究正處于實(shí)驗(yàn)階段,對(duì)晶須分散性的研究相對(duì)較少。本文主要針對(duì)納米氫氧化鎂晶須的制備及分散性開(kāi)展系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)研究,并得出較好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
本文以菱鎂礦煅燒制備出的堿式硫酸鎂晶須(MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O簡(jiǎn)稱(chēng)MOS)為原料,NaOH為沉淀劑,采用水熱法合成了納米氫氧化鎂晶須。采用單因素實(shí)驗(yàn)法,探討MOS初始料漿濃度、NaOH/MOS摩爾比、助劑種類(lèi)
2、及添加量、水熱反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、攪拌轉(zhuǎn)速、MOS前驅(qū)物性能等因素對(duì)合成產(chǎn)物性能的影響。利用SEM、XRD、EDS、FT-IR、TG-DSC等先進(jìn)的測(cè)試手段對(duì)合成產(chǎn)物的微觀形貌、物相組成、元素含量、表面基團(tuán)、熱穩(wěn)定性進(jìn)行了測(cè)試分析;應(yīng)用統(tǒng)計(jì)學(xué)規(guī)律,以晶須總數(shù)≥200為統(tǒng)計(jì)總數(shù),單根晶須占晶須總數(shù)的百分比稱(chēng)為單根晶須含量,來(lái)表征納米氫氧化鎂晶須的分散性。
通過(guò)對(duì)納米氫氧化鎂晶須制備過(guò)程中各影響因素的不斷調(diào)整優(yōu)化,得出最佳制備參數(shù)
3、為:MOS初始料漿濃度0.03mol/kg、反應(yīng)溫度180℃、反應(yīng)時(shí)間4h,NaOH/MOS摩爾比4.5∶1、攪拌轉(zhuǎn)速100r/min,添加劑種類(lèi)為硬脂酸鈉、硬脂酸鈉/MOS質(zhì)量比2%、MOS前驅(qū)物平均直徑≤200nm、MOS前驅(qū)物平均長(zhǎng)徑比>100。最佳制備條件下合成品須平均直徑85nm,平均長(zhǎng)度14μm,平均長(zhǎng)徑比>100,晶須直徑D、長(zhǎng)度L、及長(zhǎng)徑比L/D分布范圍較窄,晶須直徑D在80~95nm范圍占統(tǒng)計(jì)晶須總數(shù)的57%,晶須長(zhǎng)度
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