氧化鋅多孔復(fù)合納米材料的制備及其氣敏性能研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：)望絲趣日期：塹!蘭：乞：!i關(guān)于論文使用授權(quán)的說明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在

2、校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文?？诒Ｃ苷撐淖⑨專罕緦W(xué)位論文屬于保密范圍，在一年解密后適用本授權(quán)書。翻E保密論文注釋：本學(xué)位論文不屬于保密范圍，適用本授權(quán)書。作者簽名：塑壑煎日期：塑[墨：復(fù)：12導(dǎo)師簽名：摘要氧化鋅多孔復(fù)合納米材料的制備及其氣

3、敏性能研究摘要氧化鋅(ZnO)作為一類重要的n型半導(dǎo)體氣敏傳感材料，如何提高其靈敏度和選擇性一直是研究的熱點(diǎn)。材料的組分和結(jié)構(gòu)是影響氣敏性能的關(guān)鍵因素，高價(jià)銦元素(In)摻雜到ZnO晶格中會(huì)釋放出自由電子；金元素(Au)具有催化活性，有利于電子轉(zhuǎn)移；三維有序大孔結(jié)構(gòu)(3DOM)擁有較大的比表面積和較多的孔結(jié)構(gòu)，可以提供較多的活性位點(diǎn)。目前，在氣敏傳感領(lǐng)域雖然有關(guān)金屬元素?fù)诫s或者貴金屬負(fù)載ZnO材料研究的工作很多，但是ZnO摻In負(fù)載Au

4、這種多金屬復(fù)合材料研究較少，而且3DOM結(jié)構(gòu)的ZnO復(fù)合材料還未曾有人關(guān)注。本文分別制備了3DOMZnO納米材料、3DOMZnO摻In納米材料和3DOMZnO摻In負(fù)載Au納米材料，并對(duì)材料組分、結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系進(jìn)行了研究。具體內(nèi)容如下：1、合成了一系列3DOMZnO摻雜不同摩爾比In的納米材料并對(duì)其進(jìn)行氣敏性能研究，結(jié)果表明適量In摻雜可以有效提高材料對(duì)乙醇的靈敏度和選擇性。3DOMZnO／5％In在最佳工作溫度250oC時(shí)對(duì)10