高溫環(huán)境下永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代社會(huì)對(duì)于能源需求的增大以及當(dāng)前資源的逐漸匱乏，人們漸漸將目光瞄準(zhǔn)太空資源、深海資源以及深地資源。處在當(dāng)下風(fēng)云變幻的世界大局勢(shì)下，對(duì)于太空資源、深海資源以及深地資源的發(fā)掘已經(jīng)成為各個(gè)有野心的國(guó)家的重大戰(zhàn)略。而對(duì)于太空、深海、深地等資源的勘探與開發(fā)需要相關(guān)的設(shè)備和技術(shù)，太空、深海、深地決定了勘探與開發(fā)的環(huán)境，高溫、低溫、高壓等極端環(huán)境。因此，對(duì)于適應(yīng)這些極端環(huán)境的相關(guān)設(shè)備、技術(shù)的研制和開發(fā)逐漸變得越來(lái)越重要。掌握了相關(guān)技術(shù)的國(guó)家必將

2、在未來(lái)國(guó)際局勢(shì)的競(jìng)爭(zhēng)與博弈中占據(jù)有利的地位。電機(jī)作為各種勘探與開發(fā)的核心以及執(zhí)行部件，其正常運(yùn)行與否關(guān)系到整個(gè)設(shè)備的工作狀況。所以，把極端環(huán)境下電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的適應(yīng)性作為研究的重點(diǎn)。本課題選取極端環(huán)境中的高溫狀況對(duì)永磁電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行相關(guān)研究。
　　鑒于電子元器件是構(gòu)成電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及其他各種驅(qū)動(dòng)電路的基本，因此，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高溫適應(yīng)性決定于電子元器件的高溫適應(yīng)性?，F(xiàn)有的電子元器件中，有些可以耐受高溫的核心元器件對(duì)我國(guó)是禁運(yùn)的，

3、有些元器件在正常運(yùn)行時(shí)標(biāo)稱溫度值并未達(dá)到需求的工作環(huán)境溫度。本文正是在此背景下研究器件的超額使用用以實(shí)現(xiàn)極端環(huán)境下的控制。
　　為了實(shí)現(xiàn)在高溫下電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功能，通過(guò)分立元件如運(yùn)放、電容等搭建控制器替代傳統(tǒng)數(shù)字集成控制器，如DSP、MC U等，以解決關(guān)鍵元器件禁運(yùn)問(wèn)題，另外分立元件搭建控制器雖然實(shí)現(xiàn)功能相對(duì)單一，但其較低的硬件成本、在高溫惡劣環(huán)境下較強(qiáng)的抗干擾能力和容易調(diào)試等優(yōu)點(diǎn)足以在高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)特定功能。本文通過(guò)采用在恒溫箱

4、中進(jìn)行主要電子元器件的高溫試驗(yàn)，用以測(cè)定器件主要參數(shù)的變化規(guī)律，并對(duì)不同種器件的變化規(guī)律進(jìn)行分析對(duì)比，為后文對(duì)控制電路特性的影響分析奠定基礎(chǔ)并且為相關(guān)設(shè)計(jì)人員提供參考。
　　本文在常用電子元器件試驗(yàn)規(guī)律的基礎(chǔ)上在sab e r軟件中仿真分析電子元器件變化給驅(qū)動(dòng)電路控制特性帶來(lái)的影響，為了分析方便，文中選取了開關(guān)電源、無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的濾波器、過(guò)流保護(hù)、鎖相環(huán)等電路進(jìn)行仿真，并對(duì)高溫環(huán)境下的MOSFET的開關(guān)