適用于SoC的高性能低壓差線性穩(wěn)壓器設計.pdf

1、隨著手機、掌上電腦等電子產(chǎn)品及集成電路系統(tǒng)的高速發(fā)展,電源管理芯片在集成電路領域展現(xiàn)出越來越為重要的作用。低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,簡稱LDO)作為直流電源管理芯片的一員,其以低成本、低噪聲、高精度以及簡單的外圍電路等特點普遍應用于集成系統(tǒng)之中。隨著市場的變化和電子技術的不斷進步,尤其是片上系統(tǒng)(System on a Chip,簡稱SoC)的快速發(fā)展,設計人員對 LDO芯片的性能要求也更加苛刻,更低

2、的靜態(tài)功耗、更少的外圍器件以及更高的轉(zhuǎn)換效率和電源抑制比、更快的響應速度已經(jīng)成為LDO芯片的研究熱點和發(fā)展趨勢。
　　本文首先對LDO的基本原理進行分析,并結(jié)合當前LDO的研究熱點對LDO的主要性能指標進行研究,最后根據(jù)理論指導設計三種適用于SoC的高性能LDO芯片,其中一種主要對LDO的PSRR(Power Supply Rejection Ratio)進行研究,另外兩種主要對無片外電容LDO的負載瞬態(tài)響應進行研究,三種LDO分

3、別為:1)帶有前饋支路的高PSRR LDO,該LDO在中高頻段采用前饋支路將電源上的紋波疊加到功率管的柵極,從而使功率管的柵極與源極電壓差不帶有電源電壓紋波信號,從而提高LDO的PSRR,該LDO低頻時具有PSRR-70dB,在10MHz頻率處PSRR可以達到-59dB;2)帶有擺率增強電路的快速負載瞬態(tài)響應無片外大電容LDO,該LDO采用擺率增強技術以及動態(tài)偏置技術來優(yōu)化LDO的擺率,從而在負載發(fā)生跳變時能夠快速的響應,該LDO靜態(tài)電

4、流僅為21μA,0.5μs內(nèi)完成重載100mA與輕載100μA間的跳變,上沖電壓和下沖電壓均為150mA,下沖恢復時間僅為2μs;3)具有高擺率的快速負載瞬態(tài)響應無片外大電容LDO,該LDO采用一種具有高帶寬、高擺率的誤差放大器實現(xiàn)LDO的設計,因此在負載發(fā)生跳變時,誤差放大器能夠輸出較大的充電或者放電電流用于調(diào)整功率管的柵極電壓,從而加快LDO的負載瞬態(tài)響應速度,該LDO靜態(tài)電流為25μA,0.5μs內(nèi)完成重載100mA與輕載100μ