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文檔簡介
1、近年來,為了研制光電納米器件,科學(xué)家對半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的合成、發(fā)光性質(zhì)的研究、發(fā)現(xiàn)新材料以及在探索納米科學(xué)中出現(xiàn)的物理問題非常感興趣。ZnO作為一種非常重要的半導(dǎo)體化合物材料,由于其在室溫下具有較大的禁帶寬度(3.37 eV)和較高的激子束縛能(60 meV),一直是發(fā)光材料領(lǐng)域研究的熱點,且ZnO在紫外激光器和光發(fā)射二極管中具有重要的應(yīng)用前景;此外,一維ZnO納米結(jié)構(gòu)已經(jīng)被認為是研究基礎(chǔ)物理現(xiàn)象和應(yīng)用物理問題的一種重要材料。所以,研究一
2、維ZnO納米材料光學(xué)性質(zhì)不僅具有科學(xué)意義,而且具有重要的應(yīng)用價值。
本文利用化學(xué)氣相沉積的方法合成了直徑調(diào)制的ZnO納米線,即錐形納米線。利用掃描電子顯微鏡、X射線電子衍射、和顯微拉曼光譜儀對合成的樣品形貌、結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行了表征,并著重地探討了單根錐形ZnO納米線上不同位置處的發(fā)光性質(zhì)。通過對單根ZnO納米線光致發(fā)光光譜的測試,發(fā)現(xiàn)直徑大小不同則其近帶邊的發(fā)光峰位也不同。而利用空間分辨的光致發(fā)光成像技術(shù)得到的二維光致發(fā)光圖
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