SiF4氣體中氣體雜質(zhì)和金屬雜質(zhì)的檢測方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高純四氟化硅氣體,是制備硅烷、晶體硅、光纖等的重要原料。我國擁有豐富螢石資源和磷礦,SiF4氣體是其伴生產(chǎn)物,也是重要的氟資源。高性能的非晶態(tài)硅、單晶硅、多晶硅、光纖等對四氟化硅氣體純度要求非常高,至少達(dá)到99.99%以上,而高純SiF4氣體的制備技術(shù)掌握在少數(shù)發(fā)達(dá)國家手中,如美國、日本、俄羅斯等。近年來我國對高純度SiF4氣體的制備工藝的研究有了發(fā)展,某些公司提出的標(biāo)準(zhǔn)甚至高于國外,但國內(nèi)對SiF4氣體的檢測方法報道較少。
  

2、論文以氟硅酸溶液和濃硫酸為原料,制備SiF4氣體,然后再分別利用氣相色譜儀、火焰原子吸收光譜儀以及傅里葉紅外光譜儀進(jìn)行雜質(zhì)檢測。首先利用氣相色譜儀對濃度為5ppm、10ppm的標(biāo)準(zhǔn)氣進(jìn)行檢測,建立SiF4氣體中H2、O2、N2、CH4、CO、PH3、CO2的定量分析方法,在對實驗室制備樣品氣和外購SiF4氣體進(jìn)行檢測。檢測結(jié)果顯示:對H2、O2、N2、CH4、CO進(jìn)行檢測時,發(fā)現(xiàn)色譜柱對低含量標(biāo)準(zhǔn)氣中的O2有吸附作用,對其余標(biāo)準(zhǔn)物的檢測

3、波動范圍在10%的誤差許可范圍以內(nèi);對CO2檢測時,分析誤差較小,且較為穩(wěn)定;可使用標(biāo)準(zhǔn)氣體作為參考標(biāo)準(zhǔn),建立檢測方法,測量樣品氣體。實驗室樣品氣純度范圍在99.9%和99.99%之間,所含不凝性氣體雜質(zhì)比重較大,大部分含量在100ppm左右,但不含CH4;外購高純SiF4氣體檢測僅含有H2、N2,可能存在少量的氧,被色譜柱吸附。其次用高純水作為吸收劑吸收SiF4氣體,將吸收液進(jìn)行消解處理,再用火焰原子吸收光譜儀對其進(jìn)行檢測,制備濃度范

4、圍在0.1~10ppm的Mg、Ca、Fe、Zn、Cu、Pb等金屬標(biāo)準(zhǔn)液,測定其標(biāo)準(zhǔn)曲線,建立測量方法。得出結(jié)論:配置標(biāo)準(zhǔn)溶液所測得的標(biāo)準(zhǔn)曲線,相關(guān)系數(shù)在99.99%以上,Zn元素除外,它的相關(guān)系數(shù)在99.9%以上,準(zhǔn)確度較好;對SiF4氣體樣品吸收液中Fe、Ca、Mg、Zn、Cu、Pb、Cd七種元素進(jìn)行多次平行測定,其測定結(jié)果相對標(biāo)準(zhǔn)偏差有一定的波動范圍,但均小于10%,說明該法所測的金屬雜質(zhì)含量準(zhǔn)確度可行;進(jìn)行加標(biāo)回收實驗發(fā)現(xiàn)樣品中的

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