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文檔簡介
1、該論文為探索性實驗研究,主要是用多種實驗方法和實驗手段對多種系統(tǒng)的具有不同物理機制的磁電阻進行研究,涉及的磁電阻主要有:金屬多層膜中的巨磁電阻,合金型低飽和場的磁電阻以及各向異性磁電阻等.對CuMn合金為非磁層的磁電阻研究得到的主要結果是:在Co/spacer/Co結構中,以Cu<,92>Mn<,8>合金替代Cu層后,巨磁電阻行為會發(fā)生很大變化,飽和場/開關場同時也會降低約1個多數(shù)量級,系統(tǒng)的靈敏度有較大的改善.對界面摻雜體系的磁電阻研
2、究得到的主要結果是:通過在Co/Cu/Co結構中的下層Cu/Co界面施加一個0.3nm的SiO<,2>-Ni平面摻雜,會導致一個較大的磁特性變化,磁電阻略有減小,為3.2﹪,但開關場有很大的變化,僅為2003和600e,較摻雜前降低約兩個數(shù)量級,同時發(fā)現(xiàn)隨著摻雜厚度的改變,兩種不同界面的摻雜體系的磁電阻有較大差異的衰減長度.對AlN隧道結及Co/SiO<,2>Ni/Co的研究得到的主要結果是:在室溫下得到了幾個約3-4﹪的磁電阻變化率,
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