超薄多層膜中的多類磁電阻效應(yīng).pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩59頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、該論文為探索性實(shí)驗(yàn)研究,主要是用多種實(shí)驗(yàn)方法和實(shí)驗(yàn)手段對多種系統(tǒng)的具有不同物理機(jī)制的磁電阻進(jìn)行研究,涉及的磁電阻主要有:金屬多層膜中的巨磁電阻,合金型低飽和場的磁電阻以及各向異性磁電阻等.對CuMn合金為非磁層的磁電阻研究得到的主要結(jié)果是:在Co/spacer/Co結(jié)構(gòu)中,以Cu<,92>Mn<,8>合金替代Cu層后,巨磁電阻行為會發(fā)生很大變化,飽和場/開關(guān)場同時(shí)也會降低約1個(gè)多數(shù)量級,系統(tǒng)的靈敏度有較大的改善.對界面摻雜體系的磁電阻研

2、究得到的主要結(jié)果是:通過在Co/Cu/Co結(jié)構(gòu)中的下層Cu/Co界面施加一個(gè)0.3nm的SiO<,2>-Ni平面摻雜,會導(dǎo)致一個(gè)較大的磁特性變化,磁電阻略有減小,為3.2﹪,但開關(guān)場有很大的變化,僅為2003和600e,較摻雜前降低約兩個(gè)數(shù)量級,同時(shí)發(fā)現(xiàn)隨著摻雜厚度的改變,兩種不同界面的摻雜體系的磁電阻有較大差異的衰減長度.對AlN隧道結(jié)及Co/SiO<,2>Ni/Co的研究得到的主要結(jié)果是:在室溫下得到了幾個(gè)約3-4﹪的磁電阻變化率,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論