新型ZnO-CuInS2復(fù)合薄膜的制備及其光電性能研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：翌趨日期：塑!生五：i關(guān)于論文使用授權(quán)的說明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)

2、位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。保密論文注釋：本學(xué)位論文屬于保密范圍，在一年解密后適用本授權(quán)書。非保密論文注釋：本學(xué)位論文不屬于保密范圍，適用本授權(quán)書。作者簽名：盜逛日期：砷牛占1導(dǎo)師簽名：—盞牡日期：—上型生￡三一摘要新型ZnO／CuInS2復(fù)合薄

3、膜的制備及其光電性能研究摘要隨著人類社會(huì)的發(fā)展，礦石燃料的大量燃燒不僅過度消耗著有限的能源，而且導(dǎo)致了環(huán)境的嚴(yán)重破壞，因此人們逐漸將目光轉(zhuǎn)向可再生新能源。其中，太陽能以其清潔性和巨大的潛在經(jīng)濟(jì)效益受到廣泛的關(guān)注，而太陽能最佳利用途徑之一是太陽能電池，復(fù)合材料薄膜太陽能電池因其能吸收較寬波長(zhǎng)范圍的特性而顯示出廣闊的前景。本研究采用恒電流法和水熱法在ITO導(dǎo)電玻璃上制備一層ZnO納米陣列，之后采用恒電位或方波脈沖電沉積的方法在ZnO納米薄膜

4、上附著一層CulnS2顆粒，考察薄膜的光電特性。首先采用恒電流法在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積上ZnO納米陣列，然后采用恒電位方法在ZnO納米柱的間隙里沉積上CulnS，納米顆粒得到復(fù)合薄膜。相比較于單純的CulnS2薄膜，其光電流增加至15倍。比較不同電位下沉積CuInS：得到的復(fù)合薄膜的光電性能，復(fù)合薄膜的光電流在較高的電位下，其電流均大于CuInS2薄膜。但電流的大小并無明顯的規(guī)律只是隨著沉積電位的增加，復(fù)合薄膜的光電流在整體上是逐漸增大