(STO-YSZ-SDC)N超晶格電解質(zhì)的制備及性能.pdf

1、采用脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)，將SrTiO3(STO)、8 mo1％ Y2O3摻雜ZrO2(YSZ)和Ce0.8Sm0.2O2-δ(SDC)依次交迭沉積在MgO單晶片襯底上，在襯底溫度分別為600、650、700和750℃下，制備四種(STO/YSZ/SDC)2超晶格電解質(zhì)薄膜。采用掃描電子顯微鏡(SEM)，X衍射圖譜(XRD)，X射線能譜儀(EDX)，分析(STO/YSZ/SDC)2超晶格電解質(zhì)薄膜的表面形貌，物相結(jié)構(gòu)，以及成分和元

2、素原子含量;采用Agilent4291B型阻抗分析儀，在不同工作溫度下測(cè)試其交流阻抗譜，研究(STO/YSZ/SDC)2超晶格電解質(zhì)薄膜的電學(xué)性質(zhì)。
　　SEM表征表明，襯底溫度對(duì)于薄膜成膜的質(zhì)量非常重要，襯底溫度的提高，有利于原子表面遷移能的增加，薄膜分布更加均勻致密度增加。實(shí)驗(yàn)表明，在700℃襯底溫度下制備的樣品，電解質(zhì)薄膜與襯底的結(jié)合度最高，成膜形貌最為致密，且顆粒大小均勻成圓柱狀，因此實(shí)驗(yàn)中選擇700℃作為最佳的襯底溫度。

3、
　　基于以上分析采用PLD技術(shù)，實(shí)驗(yàn)二在MgO單晶片上，選擇襯底溫度為700℃下濺射沉積薄膜總厚度為400nm，周期數(shù)N分別為3，5，10，20的四種多層超晶格電解質(zhì)薄膜(STO/YSZ/SDC)N，實(shí)驗(yàn)三僅改變電解質(zhì)STO/YSZ/SDC層厚度比由1∶1∶1變?yōu)?∶1∶3，又制備了四種薄膜并研究其電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明:多層電解質(zhì)薄膜表面呈現(xiàn)平滑，致密，顆粒大小均勻，排列緊密，成圓柱狀的效果，超晶格結(jié)構(gòu)明顯，隨著薄膜層數(shù)的增加，零