富磷條件下生長的InP單晶體材料特性研究.pdf_第1頁
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1、河北工業(yè)大學碩士學位論文富磷條件下生長的InP單晶體材料特性研究姓名:高海鳳申請學位級別:碩士專業(yè):微電子學與固體電子學指導教師:楊瑞霞201103富磷條件下生長的InP單晶體材料特性研究iiSTUDYSTUDYSTUDYSTUDYONONONONTHETHETHETHEACTERISTICSACTERISTICSACTERISTICSACTERISTICSOFOFOFOFPRICHPRICHPRICHPRICHINPINPINPINP

2、SINGLESINGLESINGLESINGLECRYSTALCRYSTALCRYSTALCRYSTALABSTRACTABSTRACTABSTRACTABSTRACTInPcrystalhasalreadybecomeapromisingmaterialinthefieldsofmicroelectronicsoptoelectronicssinceitpossessesmanygoodfeatures.Semiinsulating(

3、SI)InPwithgoodactershasbeenwidelyusedtomanufacturehighfrequencyHEMTsHBTsOEICs.FedopingSIInPisgenerallyusedincommercialfieldatthepresenttimeSIInPcanalsobegotthroughannealingundopedInP.IthasbeenshownthatPrichInPcangetSIact

4、eristicmeeasilybyannealing.ButthepreparationofPrichInPisstillnotmatureuptonowtherearemanyimperfectionsonthewaferssuchassmallholesdislocationsdefectswhichaffecttheapplicationsofPrichInPseverely.TheacteristicsofPrichInPcry

5、stalwasstudiedbyPhotoluminescenceMapping(PL)XrayDiffraction(XRD)EnergyDispersiveSpectrometer(EDS)inthispaper.ThesampleusedwaspreparedbythemethodofPinjectioninsitusynthesisliquidencapsulatedCzochralski(LEC).PLMappingmeasu

6、rementsshowedthatthephotoluminescenceacteristicsofPrichInPwaferwasununifm.InthecenteredgeofthewaferthewavelengthofPLpeakwasshtertheintensityofPLpeakwasmuchlowertheFWHMofPLpeakwasmuchbiggercomparedtootherpartsofthewafer.T

7、heresultsrevealedthatthesepartsmighthavewsecrystallizationqualitymedefectssuchasVInPInPiVInH4.XRDmeasurementsshowedthattheedgeofthewaferwithmeholesonithadlargerlatticeconstantlargerdiffractionpeakFWHMcomparedtootherparts

8、.Sotheedgeofthewaferhadpocrystallizationquality.EDSmeasurementsshowedthatthedistributionofthecontentofPatomsInatomswasalsoununifm.OntheedgearoundtheholesofthewaferthecontentofPatomswasmuchhigher.Thepounifmityofthecontent

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