離子遷移調(diào)控氧化鎢納米線電輸運性能.pdf

1、阻變存儲器（或稱憶阻器）由于兼容CMOS工藝、讀寫速度快、能耗低等特點有望成為新一代的存儲器件。但是憶阻材料的憶阻機理目前尚不明確，這阻礙了阻變存儲器的產(chǎn)業(yè)化，進(jìn)一步研究憶阻效應(yīng)，闡明其內(nèi)在機理成為當(dāng)務(wù)之急?，F(xiàn)今，氧空位缺陷在氧化物的憶阻性能中的主要作用已經(jīng)得到廣泛認(rèn)同。非化學(xué)計量比的WO3為研究氧空位遷移對憶阻效應(yīng)的調(diào)控機制提供很好的平臺。在此基礎(chǔ)上，我們做了有關(guān)納米離子學(xué)方面的研究。
　　 本文通過水熱反應(yīng)合成了WO3納米線

2、。通過調(diào)節(jié)PH值、溫度、反應(yīng)時間和硫酸鈉用量獲得了直徑不同的納米線。對納米線進(jìn)行了一系列的表征，包括SEM、XRD等。利用光刻微加工工藝，構(gòu)筑了基于單根三氧化鎢納米線的納米器件。對納米器件進(jìn)行了電輸運測試，并獲得了以下結(jié)果:
　　 1、在電極和納米線是歐姆接觸的情況下，對納米線進(jìn)行了電化學(xué)摻雜。通過外加電場的作用，改變摻雜離子在納米線內(nèi)的軸向濃度分布，調(diào)控納米線的電導(dǎo)。
　　 2、研究了水分子對納米線憶阻性能的影響，進(jìn)一