電子型高溫超導(dǎo)體單晶生長和低溫物性及新型超導(dǎo)體MgB-,2-和MgCNi-,3-的研究.pdf

1、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文電子型高溫超導(dǎo)體單晶生長和低溫物性及新型超導(dǎo)體MgB和MgCNi的研究姓名：李世燕申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：陳仙輝2002.4.1中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文論文摘要第四章合成了具有很好單相性的堿金屬替代Mgj_xAxB2(A沙著Li的摻入，晶格常數(shù)a和c都減小。對于Na替代，a和c有所增加，在較高Na含量時隨Na摻入而減小。其中晶格常數(shù)=Li和Na)樣品。在低的Na含量時a隨Li和Na含量

2、的變化可以用兩種效應(yīng)的綜合作用來解釋:一種是離子尺寸效應(yīng)，另一種則歸因于空穴摻雜導(dǎo)致的平面內(nèi)禍合的增強(qiáng)。Mg.xLixB:中c軸的收縮趨勢與理論結(jié)果相一致相對于純MgB2樣品，L‘和N的摻入者仔使T。略有降低擠第五章制備了新型超導(dǎo)體MgCNi3的多晶樣品，測量了電阻率、上臨界磁場、霍爾效應(yīng)、熱電勢、熱導(dǎo)和磁阻等一系列的物理性質(zhì)。履現(xiàn)在:0K以上的電阻率p(T)可以用電一聲子散射的BlochGriineisen公式來擬合，在T=50K處p

3、(T)的曲率發(fā)生改變，溫度低于50K時滿足p(T)一T“n1.7。通過測量不同磁場下的電阻率一溫度曲線獲得了上臨界磁場Hc:一T相圖，H2(0)約為15.0T，超導(dǎo)電子關(guān)聯(lián)長度i(0)約為47.$。負(fù)的Halll系數(shù)RH和負(fù)的熱電勢s共同表明在MgCNi3中負(fù)的載流子對輸運(yùn)性質(zhì)的貢獻(xiàn)占主導(dǎo)地位，RH的溫度行為與兩能帶模型一致，而熱電勢隨溫度的變化可以用電一聲子重正化效應(yīng)以及自旋漲落來解釋。熱導(dǎo)率K(T)在8K左右有一個小的但是非常清楚的