基于硅酸鹽介質(zhì)和尖晶石鐵氧體的磁介電材料研究.pdf

1、磁介電材料在天線、濾波器、電磁干擾設(shè)備等的小型化和多功能化的研究中有廣泛應(yīng)用前景。鐵氧體不僅具有很好的磁性能，而且還有高電阻率、低渦流損耗和非常好的熱化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良性能。為了解決電子設(shè)備的小型化問題，本論文主要研究由硅酸鹽介質(zhì)和尖晶石鐵氧體復(fù)合構(gòu)成的磁介電材料。
　　采用固相反應(yīng)法制備了(1-x)Mg2SiO4-xLiFe5O8、(1-x)Li2MgSiO4-xLiFe5O8和(1-x)Li2MgSiO4-x MgFe2O4三種

2、新體系的磁介電材料，這三種體系的磁介電材料的相關(guān)研究并未見諸公開報(bào)道，而本論文研究了它們的物相、介電性能和磁性能。
　　三種體系的材料都有軟磁特性，且隨著鐵氧體含量的增大，材料的飽和磁化強(qiáng)度、磁導(dǎo)率和磁損耗都會(huì)增大，磁導(dǎo)率會(huì)隨著燒結(jié)溫度的升高而升高。
　　磁介電材料(1-x)Mg2SiO4-xLiFe5O8中只存在Mg2SiO4相和LiFe5O8相。當(dāng)LiFe5O8含量很低于20wt％時(shí)，材料介電常數(shù)在20左右，介電損耗低于

3、0.5，燒結(jié)溫度和頻率對(duì)其影響很小。隨著LiFe5O8含量的增大，介電常數(shù)和介電損耗都會(huì)增加。當(dāng)LiFe5O8含量為40wt%時(shí)，飽和磁化強(qiáng)度為15.98emu/g。在10MHz-1GHz范圍內(nèi)，材料的磁損耗低于0.45。
　　磁介電材料(1-x)Li2MgSiO4-xLiFe5O8中，當(dāng)LiFe5O8含量為10wt%和15wt%時(shí)，會(huì)產(chǎn)生少量Mg2SiO4。其中x=15%，燒結(jié)溫度為1075oC，頻率為15kHz-9MHz時(shí)，復(fù)

4、合材料的介電常數(shù)為14.9-14.7，介電損耗為9×10-3-3×10-3。隨著LiFe5O8含量的增大，復(fù)合材料的介電常數(shù)整體呈上升趨勢(shì)，介電損耗在x從10%增大到15%時(shí)下降，然后上升。當(dāng)LiFe5O8含量為40wt%時(shí)，材料的飽和磁化強(qiáng)度為16.83emu/g。在10MHz-1GHz頻率范圍，材料的磁損耗小于0.45。
　　磁介電材料(1-x)Li2MgSiO4-xMgFe2O4中有少量Mg2SiO4雜相。當(dāng)MgFe2O4含