Gossamer超導體基態(tài)相圖的研究.pdf

1、本文在t-J-U模型和Gutzwiller平均場理論的框架下，對銅氧化物高溫超導材料基態(tài)相圖以及電子的次近鄰躍遷對相圖的影響進行了較為系統(tǒng)的研究。第一章簡單介紹了可以描述CuO2平面內基本的低能物理過程的t-J-U模型，并介紹了目前國際上公認的可以較好的處理電子之間強相互作用的Gutzwiller平均場近似。 應用Gutzwiller平均場理論，第二章系統(tǒng)地討論了銅氧化物高溫超導材料基態(tài)時的相圖：首先從t-J-U模型出發(fā)系統(tǒng)地研

2、究了gossamer超導體中d波超導和反鐵磁的相互作用。得到了基態(tài)情況下銅氧化物高溫超導材料的相圖。在標準參數(shù)t/J=3和大U極限下，欠摻雜區(qū)域內反鐵磁序和d波超導序共存直到摻雜濃度0.1附近。隨著摻雜濃度的增大，d波超導序參數(shù)從0開始增加，在最佳摻雜濃度0.15附近達到一個最大值。在小U的極限下，只有d波超導序存在，而反鐵磁序消失。當U增大到一定臨界值，反鐵磁序出現(xiàn)并在欠摻雜區(qū)域和d波超導序共存。在半滿的情況下，我們研究的系統(tǒng)在U較小