ZnTe基和ZnSe基復合結構的光學性質.pdf

1、本論文利用瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)光譜技術研究了ZnTe基復合量子阱結構和ZnSe基量子點/量子阱復合結構中的激子隧穿和復合過程。取得了如下結果： 1、利用泵浦-探測方法研究了了ZnTe/SeZnTe量子阱中的載流子動力學過程，表明ZnSeTe層對載流子具有很強的限制作用。在此基礎上，研究了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe復合量子阱中的載流子動力學過程，發(fā)現(xiàn)由于在CdZnTe量子阱旁加入了ZnSeTe量子阱層使得CdZnTe中載流子的

2、衰減時間大大縮短，證明在該復合結構中存在著從CdZnTe阱向ZnSeTe阱的高效率激子隧穿，得到5.5ps快的隧穿時間。 2、研究CdSe量子點/ZnSe/ZnCdSe量子阱復合結構中激子在量子阱與量子點間的隧穿過程。通過對不同壘厚的點/阱復合結構發(fā)光特性測量，證實了該結構中隧穿現(xiàn)象的存在。并利用泵浦-探測測量了阱中激子的衰減時間，最短可達1.8ps。研究壘層厚度變化對激子隧穿的影響。 3、通過變溫光譜測量，研究了在點/

3、阱復合結構中，激子離化和激子隧穿激子復合過程中的作用。根據量子點和量子阱中激子輻射躍遷強度、峰位、線寬隨溫度的變化關系，討論了激子隧穿對量子點中激子發(fā)光的影響，從而進一步認識這種復合結構的發(fā)光機理。 另外，在一種具有3C-和6H-SiC交替生長的納米層狀結構的SiC納米棒中觀察到較強的紫外發(fā)射。利用時間相關單光子計數手段對發(fā)光壽命進行測量，得到較快得發(fā)光衰減時間(～lns)。將發(fā)光機理歸結為由于量子限域效應導致能帶結構由間接帶隙